RRAM

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Современные распространённые типы
DRAM (в том числе DDR SDRAM)
SRAM
Перспективные
T-RAM
Z-RAM
TTRAM
Устаревшие типы
Память на линиях задержки
Запоминающая электростатическая трубка[en]
Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая

Резистивная память с произвольным доступом (RRAM, ReRAM, Resistive random-access memory) — энергонезависимая память, разрабатываемая несколькими компаниями. Уже имеются патентованные версии ReRAM[1][2][3][4][5][6][7]. Технология имеет некоторое сходство с CBRAM и PRAM.

В феврале 2012 Rambus купила (поглотила) компанию производителя ReRAM под названием Unity Semiconductor за 35 миллионов долларов[значимость факта?][8].

Принцип работы[править | править код]

Основная идея состоит в том, что диэлектрики, которые в нормальном состоянии имеют очень высокое сопротивление, после приложения достаточно высокого напряжения могут сформировать внутри себя проводящие нити низкого сопротивления, и по сути превратиться из диэлектрика в проводник. Эти проводящие нити могут образовываться с помощью разных механизмов. С помощью приложения соответствующих уровней напряжения проводящие нити могут быть как разрушены (и материал снова станет диэлектриком), так и сформированы снова (и материал опять станет проводником)[9].

Есть несколько эффектов переключения состояний. Первый из них требует одну полярность напряжения для операций переключения с низкого на высокий уровень сопротивления (операция сброса бита), и противоположную полярность для операций переключения с высокого на низкий уровень сопротивления (операция установки бита). Эти эффекты называются эффектами биполярного переключения. Напротив, есть также эффекты однополярного переключения, когда обе операции (и сброса, и установки бита) требуют одной и той же полярности, но разной величины напряжения.

Другой метод классификации — по типу проводящего участка. Некоторые эффекты при переключении формируют несколько тонких нитей, причём только некоторые из них находятся в проводящем состоянии. Другие эффекты переключения формируют гомогенные (однородные) зоны вместо нитей. Причём в обоих случаях области проводимости могут формироваться как на протяжении всего расстояния между электродами, так и концентрироваться вблизи электрода[10].

То есть материал по сути является управляемым постоянным резистором с двумя или более переключаемыми уровнями сопротивления. Чтение информации происходит с помощью приложения к одному концу резистора некоторого низкого напряжения и измерения уровня напряжения на другом конце. В случае с двумя уровнями сопротивления резистор можно рассматривать как управляемую перемычку — при логической 1 на входе на выходе либо 1 (напряжение достаточное для распознавания как логическая единица, например более 3В) либо 0 (напряжение недостаточное для распознавания как логическая единица, например менее 2,5В).

Ячейки памяти могут быть соединены с линиями данных в кристалле тремя способами: напрямую, через диоды и через транзисторы.

Ячейки памяти собираются в классическую матрицу со строками и столбцами (и слоями, для многослойной памяти), при этом управление каждой конкретной ячейкой идет с помощью приложения напряжения к определённому столбцу и определённой строке, в точке пересечения которых и лежит целевая ячейка. Так как не все ячейки обладают максимальным сопротивлением (некоторые из них переключены в проводящее состояние, некоторые нет — это же память), эта конфигурация подвержена большим токам утечки, которые протекают через соседние (не выбранные) ячейки, находящиеся в проводящем состоянии, что сильно затрудняет оценку сопротивления выбранной ячейки, поэтому скорость чтения будет относительно мала. Для улучшения ситуации могут быть добавлены дополнительные выбирающие элементы, но они потребуют дополнительного напряжения и мощности. Например диоды, включенные последовательно с ячейками, могут значительно минимизировать токи утечек за счет в несколько раз увеличенного смещения паразитных путей утечки относительно целевой (например прямое смещение кремниевого диода равно 0,6В, а смещение самого короткого паразитного пути в двумерной и трёхмерной матрицах состоит из трёх таких диодов, и составит 1,8В. Если напряжение чтения установить в пределах 0,8..1,5В — чтение ячейки пройдет успешно и без помех), причём диоды могут быть встроены в основу ячейки памяти (ячейка из кремния, подключена к металлическим линиям строк и столбцов, в точке соединения металла и кремния может быть создан диод), не отнимая под себя дополнительного места в кристалле. В конце концов каждая ячейка может быть снабжена транзистором (в идеале МОП-транзистором), что полностью исключит паразитные токи утечки, позволив легко и быстро выбирать конкретную ячейку и без помех читать её состояние, что только увеличит скорость чтения памяти, но транзисторы потребуют для себя дополнительного места в кристалле и дополнительных управляющих линий.

Для памяти с произвольным доступом с топологией матрицы предпочтительнее транзисторы, но диоды могут открыть путь к наложению нескольких слоев памяти друг на друга, что позволит получить трёхмерную сверхплотную упаковку из множества слоев (с адресом вида x, y, z), и соответственно сверхъёмкие модули памяти, что идеально для устройств хранения. Переключающий механизм (селектор строк, столбцов и слоев) может быть многомерным и многоканальным, и работать с несколькими слоями одновременно и независимо.

Пути улучшения резистивной памяти[править | править код]

Сотрудники Калифорнийского университета в Риверсайде (США) предложили в 2013 году использовать вместо диодов в качестве селектора самоорганизующиеся наноостровки оксида цинка[11][12].

Исследователи из МФТИ разрабатывают технологии создания многослойных ReRAM массивов (по аналогии с 3D NAND)[13].

Примечания[править | править код]

  1. U.S. Patent 6 531 371
  2. U.S. Patent 7 292 469
  3. U.S. Patent 6 867 996
  4. U.S. Patent 7 157 750
  5. U.S. Patent 7 067 865
  6. U.S. Patent 6 946 702
  7. U.S. Patent 6 870 755
  8. Mellor, Chris (7 February 2012), Rambus drops $35m for Unity Semiconductor, <http://www.channelregister.co.uk/2012/02/07/rambus_unity_semiconductor/> 
  9. D. Lee et al., «Resistance switching of copper doped MoOx films for nonvolatile memory applications», Appl. Phys. Lett. 90, 122104 (2007) doi:10.1063/1.2715002
  10. Advanced Engineering Materials - Wiley Online Library (недоступная ссылка). Дата обращения: 12 марта 2013. Архивировано 11 апреля 2013 года.
  11. Jing Qi et al., "Multimode Resistive Switching in Single ZnO Nanoisland System", Scientific Reports, 3, 2405 (2013) (недоступная ссылка). Архивировано 1 сентября 2013 года.
  12. UCR Today: Advancing Resistive Memory to Improve Portable Electronics (недоступная ссылка). Архивировано 1 сентября 2013 года.
  13. М. Абаев. Чтобы флешка была быстрее. Наука и жизнь (29 мая 2017).

Ссылки[править | править код]