Беговая память

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Современные распространённые типы
DRAM (в том числе DDR SDRAM)
SRAM
Перспективные
T-RAM
Z-RAM
TTRAM
Устаревшие типы
Память на линиях задержки
Запоминающая электростатическая трубка[en]
Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая
Принцип беговой памяти

Беговая память (англ. racetrack memory, domain-wall memory (DWM)) — тип энергонезависимой памяти, разрабатываемый компанией IBM. Принцип записи в ней основан на перемещении магнитных доменов в нанотрубках с помощью спиновых токов. Размеры магнитных доменов были значительно уменьшены благодаря достижениям в области спинтронных магнитно-резистивных устройств и материалов, так как меньший размер домена обеспечивает более высокую плотность записи. Первый 3-битный успешный образец был продемонстрирован в 2008 году[1]. Предполагается, что такая память обеспечит значительно большую плотность записи, чем современные USB-флеш-накопители и жёсткие диски. Кроме этого, также значительно возрастет скорость чтения/записи. Возможно, в будущем эта технология будет использоваться при создании универсальной памяти.

Одной из трудностей является экспериментально обнаруженная низкая скорость перемещения магнитных доменов по нанотрубкам. Было установлено, что на скорость передвижения влияют неоднородности (примеси) в самих трубках. В настоящее время[2] ведутся работы по созданию свободных от примесей нанотрубок, которые смогут обеспечить макроскопическую скорость передвижения порядка 110 м/с[3].

По современным представлениям беговая память должна обеспечить задержку чтения/записи 20-32 нс. Планируется улучшить этот показатель до 9,5 нс. У жестких дисков этот показатель составляет 107 нс, для современной оперативной памяти DRAM — 20-30 нс.

Магнитные домены перемещаются вдоль пермаллоевых наноскопических трубок толщиной 100 нм и длиной 200 нм. Когда домен проходит мимо магнитных головок, расположенных вдоль трубки, он ориентируется согласно заданному паттерну битов, таким образом обеспечивая запись.

Этот концепт близок к магнитно-электронным запоминающим устройствам (bubble memory) 60-х и 70-х. Однако ещё раньше на похожем принципе работала память на линиях задержки (delay memory), которая использовалась в компьютерах UNIVAC и EDSAC.

Примечания[править | править код]

Литература[править | править код]

  • Память нового поколения // CHIP : журнал. — 2011. — № 7. — С. 22—23. — ISSN 1609-4212.

Ссылки[править | править код]