T-RAM

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Энергонезависимая

T-RAM (англ. Thyristor RAM) — тиристорная память с произвольным доступом, новый вид оперативной памяти, предложенный в середине 2000-х годов, сочетающий в себе сильные стороны DRAM и SRAM: высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на эффекте NDR, которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor[1]. T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM и SRAM памяти. Благодаря этому, данная память является хорошо масштабируемой, и уже имеет плотность хранения данных в несколько раз превышающую её у SRAM памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM.

Данную технологию компания AMD предполагала использовать в процессорах, производимых по нормам 32 и 22 нм[2].

По словам бывшего CEO компании T-RAM Semiconductor, несмотря на успешное решение множества проблем в производстве, для T-RAM так и не был достигнут процент выхода годных, достаточный для прибыльного массового выпуска[3].

Примечания[править | править код]

  1. Описание технологии (англ.)
  2. IXBT: GlobalFoundries сможет использовать память thyristor-RAM в процессорах AMD нового поколения, IXBT, 20 мая 2009
  3. Jim Handy. A 1T SRAM? Sounds Too Good to be True! (англ.), The Memory Guy (February 19, 2016). Проверено 17 января 2018. "The Memory Guy asked former T-RAM CEO Kenneth Ervin Young..."

См. также[править | править код]

Ссылки[править | править код]