Силицен: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Интерактивная навигация по истории
(Показать все непатрулированные изменения)
[непроверенная версия][непроверенная версия]
← Предыдущая правкаСледующая правка →
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Нет описания правки
Строка 1: Строка 1:
⚫
[[Файл:Silicene-Ag STM5 crop.jpg|thumb|[[Сканирующий туннельный микроскоп|СТМ]] изображение первого (4×4) и второго (√3×√3-β) слоев силицена на тонкой плёнке серебра. Размер изображения 16 × 16 нм.<ref>{{cite doi|10.1088/1367-2630/16/9/095004}}</ref>]]
{{обновить}}
'''Силицен''' — [[Двумерный кристалл|двумерное]] [[Аллотропия|аллотропное]] соединение [[Кремний|кремния]], подобное [[графен]]у, в котором по крайней мере часть [[атом]]ов находится в ''sp<sup>2</sup>''-[[Гибридизация орбиталей|гибридизации]]<ref>{{Статья|ссылка=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.108.245501|автор=Antoine Fleurence, Rainer Friedlein, Taisuke Ozaki, Hiroyuki Kawai, Ying Wang|заглавие=Experimental Evidence for Epitaxial Silicene on Diboride Thin Films|год=2012-06-11|язык=en|издание=Physical Review Letters|том=108|выпуск=24|страницы=245501|issn=0031-9007, 1079-7114|doi=10.1103/PhysRevLett.108.245501}}</ref>.
⚫
[[File:Silicene-Ag STM5 crop.jpg|thumb|[[Сканирующий туннельный микроскоп|СТМ]] изображение первого (4×4) и второго (√3×√3-β) слоев силицена на тонкой плёнке серебра. Размер изображения 16 × 16 нм.<ref>{{cite doi|10.1088/1367-2630/16/9/095004}}</ref>]]
'''Силицен''' — двумерное [[Аллотропия|аллотропное]] соединение [[Кремний|кремния]], подобное [[графен]]у.


== История ==
== История ==
Хотя теоретики рассуждали<ref name="Takeda1994a">{{статья |заглавие=Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite |doi=10.1103/PhysRevB.50.14916 |издание=[[Physical Review|Physical Review B]] |том=50 |страницы=14916 |язык=en |тип=journal |автор=Kyozaburo Takeda and Kenji Shiraishi |год=1994}}</ref><ref name="GuzmanVerri2007a">{{статья |заглавие=Electronic structure of silicon-based nanostructures |doi=10.1103/PhysRevB.76.075131 |издание=[[Physical Review|Physical Review B]] |том=76 |страницы=075131 |язык=en |тип=journal |автор=G. G. Guzman-Verri and L. C. Lew Yan Voon |год=2007}}</ref><ref name="Cahangirov2009a">{{статья |заглавие=Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium |doi=10.1103/PhysRevLett.102.236804 |издание=[[Physical Review Letters]] |том=102 |страницы=236804 |язык=en |тип=journal |автор=Cahangirov, Topsakal, Akturk, Sahin and Ciraci |год=2009}}</ref> о существовании и возможных свойствах силицена, он не был обнаружен. В 2010 исследователи в первый раз наблюдали структуры кремния, похожие на силицен.<ref name="Aufray2010a">{{статья |заглавие=Graphene-like silicon nanoribbons on Ag(110): A possible formation of silicene |издание=[[Applied Physics Letters]] |том=96 |страницы=183102 |язык=en |тип=journal |автор=B. Aufray, A. Kara, S. Vizzini, H. Oughaddou, C. Léandri, B. Ealet and G. Le Lay |год=2010}}</ref>
Хотя теоретики рассуждали<ref name="Takeda1994a">{{статья |заглавие=Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite |doi=10.1103/PhysRevB.50.14916 |издание=[[Physical Review|Physical Review B]] |том=50 |страницы=14916 |язык=en |тип=journal |автор=Kyozaburo Takeda and Kenji Shiraishi |год=1994}}</ref><ref name="GuzmanVerri2007a">{{статья |заглавие=Electronic structure of silicon-based nanostructures |doi=10.1103/PhysRevB.76.075131 |издание=[[Physical Review|Physical Review B]] |том=76 |страницы=075131 |язык=en |тип=journal |автор=G. G. Guzman-Verri and L. C. Lew Yan Voon |год=2007}}</ref><ref name="Cahangirov2009a">{{статья |заглавие=Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium |doi=10.1103/PhysRevLett.102.236804 |издание=[[Physical Review Letters]] |том=102 |страницы=236804 |язык=en |тип=journal |автор=Cahangirov, Topsakal, Akturk, Sahin and Ciraci |год=2009}}</ref> о существовании и возможных свойствах силицена с середины 1990-х годов, он не был обнаружен до 2010 года, когда исследователи в первый раз наблюдали структуры кремния, похожие на силицен<ref name="Aufray2010a">{{статья |заглавие=Graphene-like silicon nanoribbons on Ag(110): A possible formation of silicene |издание=[[Applied Physics Letters]] |том=96 |страницы=183102 |язык=en |тип=journal |автор=B. Aufray, A. Kara, S. Vizzini, H. Oughaddou, C. Léandri, B. Ealet and G. Le Lay |год=2010}}</ref><ref name="NNano2010a">{{статья |заглавие=Silicene: Flatter silicon |doi=10.1038/nnano.2010.124 |издание=[[Nature Nanotechnology]] |том=5 |страницы=384 |язык=en |автор=Research highlight |год=2010 |тип=journal}}</ref><ref name="Lalmi2010a">{{статья |заглавие=Epitaxial growth of a silicene sheet |издание=[[Applied Physics Letters]] |том=97 |страницы=223109 |язык=en |автор=B. Lalmi, H. Oughaddou, H. Enriquez, A. Kara, S. Vizzini, B. Ealet and B. Aufray |год=2010 |тип=journal}}</ref>. Используя [[сканирующий туннельный микроскоп]], они изучили с атомарным разрешением [[Самосборка|самособранные]] силиценовые наноленты и силиценовые листы, выращенные на [[Кристаллы|кристалле]] [[Серебро|серебра]].
<ref name="NNano2010a">{{статья |заглавие=Silicene: Flatter silicon |doi=10.1038/nnano.2010.124 |издание=[[Nature Nanotechnology]] |том=5 |страницы=384 |язык=en |автор=Research highlight |год=2010 |тип=journal}}</ref>
<ref name="Lalmi2010a">{{статья |заглавие=Epitaxial growth of a silicene sheet |издание=[[Applied Physics Letters]] |том=97 |страницы=223109 |язык=en |автор=B. Lalmi, H. Oughaddou, H. Enriquez, A. Kara, S. Vizzini, B. Ealet and B. Aufray |год=2010 |тип=journal}}</ref> Используя [[сканирующий туннельный микроскоп]], они изучили с атомарным разрешением само-собранные силиценовые наноленты и силиценовые листы, помещённые в серебряный кристалл.


[[Файл:Silicene Cluster.jpg|thumb|Структура типичного силиценового кластера.]]
[[Файл:Silicene Cluster.jpg|thumb|Структура типичного силиценового кластера.]]
Строка 12: Строка 9:
Вычисления согласно [[Теория функционала плотности|теории функционала плотности]] показали, что атомы кремния образуют сотовые конструкции на серебре с небольшими искривлениями, которые делают графеноподобные конфигурации более вероятными.
Вычисления согласно [[Теория функционала плотности|теории функционала плотности]] показали, что атомы кремния образуют сотовые конструкции на серебре с небольшими искривлениями, которые делают графеноподобные конфигурации более вероятными.


Недавно{{когда}} силицен был выращен на подложке из диборида циркония ZrB<sub>2</sub>.<ref name="Fleurence2011a">{{статья |заглавие=Experimental evidence for silicene on ZrB<sub>2</sub>(0001) |издание=Symposium on Surface and Nano Science 2011 (SSNS'11)，Shizukuishi, Japan，2011.01.21 |язык=ro |автор=A. Fleurence, R. Friedlein, Y. Wang and Y. Yamada-Takamura}}</ref>
В 2012 году силицен был выращен на подложке из [[Диборид циркония|диборида циркония ZrB<sub>2</sub>]]<ref name="Fleurence2011a">{{статья |заглавие=Experimental evidence for silicene on ZrB<sub>2</sub>(0001) |издание=Symposium on Surface and Nano Science 2011 (SSNS'11)，Shizukuishi, Japan，2011.01.21 |язык=ro |автор=A. Fleurence, R. Friedlein, Y. Wang and Y. Yamada-Takamura}}</ref>.


== Структура и свойства ==
В дополнение к его потенциальной совместимости с существующей полупроводниковой техникой, силицен имеет преимущество малой окисляемости кислородом.<ref name="DePadova2010a">{{статья |заглавие=Burning Match Oxidation Process of Silicon Nanowires Screened at the Atomic Scale |издание={{Нп3|Nano Letters|NanoLetters||Nano Letters}} |том=8 |страницы=2299 |язык=en |тип=journal |автор=P. De Padova, C. Léandri, S. Vizzini, C. Quaresima, P. Perfetti, B. Olivieri, H. Oughaddou, B. Aufray and G. Le Lay |год=2008}}</ref>
Структура силицена является [[Метастабильное состояние|метастабильной]]<ref name=":0">{{Статья|ссылка=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.85.075423|автор=N. D. Drummond, V. Zólyomi, V. I. Fal'ko|заглавие=Electrically tunable band gap in silicene|год=2012-02-22|издание=Physical Review B|том=85|выпуск=7|страницы=075423|doi=10.1103/PhysRevB.85.075423}}</ref>, в отличие от графена он легко взаимодействует с окружающей средой: [[Окисление|окисляется]] на [[воздух]]е и связывается с другими материалами<ref name=":1">{{Статья|ссылка=https://www.nature.com/articles/495152a|автор=Geoff Brumfiel|заглавие=Sticky problem snares wonder material|год=2013-03-01|язык=en|издание=Nature|том=495|выпуск=7440|страницы=152–153|issn=1476-4687|doi=10.1038/495152a}}</ref>. Силицен проявляет сильную склонность к образованию неровностей и гребней на его поверхности, что может являться следствием характера взаимодействия соседних атомов кремния, которые не склонны к образованию ''sp<sup>2</sup>''-связей<ref>{{Книга|автор=Michelle Spencer, Tetsuya Morishita|год=2016-02-19|isbn=978-3-319-28344-9|страниц=283|издательство=Springer|заглавие=Silicene: Structure, Properties and Applications|ссылка=https://books.google.ru/books?id=vdubCwAAQBAJ&dq=silicene+applications&lr=&hl=ru&source=gbs_navlinks_s}}</ref>: разные расчёты говорят о том, что высота неровностей составляет 0.44 — 0.53 [[Ангстрем|Å]]. [[Носители заряда]] в силицене описываются [[Уравнение Дирака для графена|уравнением Дирака для безмассовых частиц]]<ref name=":0" />, как и в графене, приводящей к линейному закону дисперсии, но существенным преимуществом силицена является возможность управления шириной [[Запрещённая зона|запрещённой зоны]], что важно для практического применения материала<ref name=":0" /><ref>{{Статья|ссылка=https://doi.org/10.1021/nl203065e|автор=Zeyuan Ni, Qihang Liu, Kechao Tang, Jiaxin Zheng, Jing Zhou|заглавие=Tunable Bandgap in Silicene and Germanene|год=2012-01-11|издание=Nano Letters|том=12|выпуск=1|страницы=113–118|issn=1530-6984|doi=10.1021/nl203065e}}</ref>. Предполагается, что по своим свойствам силицен может быть близок к [[Топологический изолятор|топологическим изоляторам]]<ref name=":1" />. При помощи [[Квантовая механика|квантовомеханических]] расчётов было получено, что [[модуль Юнга]] в силицене составляет 178 [[Паскаль (единица измерения)|ГПа]] и была показана возможность управлять [[электропроводность]]ю силицена путём его механического растяжения, переводя его из состояния [[Полуметалл (физика твёрдого тела)|полуметалла]] в [[Металлы|металл]]<ref>{{Статья|ссылка=http://stacks.iop.org/0295-5075/99/i=1/a=17010?key=crossref.d48056d63d590539ec1b4263c2722327|автор=G. Liu, M. S. Wu, C. Y. Ouyang, B. Xu|заглавие=Strain-induced semimetal-metal transition in silicene|год=2012-07-01|издание=EPL (Europhysics Letters)|том=99|выпуск=1|страницы=17010|issn=0295-5075, 1286-4854|doi=10.1209/0295-5075/99/17010}}</ref>. Моделирование методом [[Метод классической молекулярной динамики|молекулярной динамики]] даёт меньшее значение для модуля Юнга: около 82 ГПа<ref>{{Статья|ссылка=http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4861736|автор=Qing-Xiang Pei, Zhen-Dong Sha, Ying-Yan Zhang, Yong-Wei Zhang|заглавие=Effects of temperature and strain rate on the mechanical properties of silicene|год=2014-01-14|язык=en|издание=Journal of Applied Physics|том=115|выпуск=2|страницы=023519|issn=0021-8979, 1089-7550|doi=10.1063/1.4861736}}</ref>. При помощи теории функционала плотности показано, что [[подвижность носителей заряда]] в силицене составляет 2.57·10<sup>5</sup> [[Квадратный метр|м<sup>2</sup>]]/([[Вольт|В]]·[[Секунда|с]]) при [[Комнатная температура|комнатной температуре]]<ref>{{Статья|ссылка=https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.4820526|автор=Zhi-Gang Shao, Xue-Sheng Ye, Lei Yang, Cang-Long Wang|заглавие=First-principles calculation of intrinsic carrier mobility of silicene|год=2013-09-06|издание=Journal of Applied Physics|том=114|выпуск=9|страницы=093712|issn=0021-8979|doi=10.1063/1.4820526}}</ref>.


== Возможные применения ==
Последующие расчёты по [[Теория функционала плотности|теории функционала плотности]] показали, что силиценовые плёнки являются отличными материалами для изготовления [[Полевой транзистор|полевых транзисторов]]. Интересно, что структура силицена не вполне плоская, с искажениями в кольцах. Это приводит к упорядоченным искажениям на поверхности и повышенной гибкости, по сравнению с графеном, и также увеличивает спектр его применения в электронике.<ref name="Datta Aa">{{статья |заглавие=Structures and Electronic Properties of Silicene clusters: A promising material for FET and hydrogen storage |издание={{Нп3|Physical Chemistry Chemical Physics|Phys. Chem. Chem. Phys.||Physical Chemistry Chemical Physics}} |том=13 |страницы=7304 |язык=en |тип=journal |автор=Deepthi Jose, Ayan Datta |год=2011}}</ref>
Силицен совместим с кремниевой электроникой, поскольку сам состоит из кремния<ref>{{Статья|ссылка=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.108.155501|автор=Patrick Vogt, Paola De Padova, Claudio Quaresima, Jose Avila, Emmanouil Frantzeskakis|заглавие=Silicene: Compelling Experimental Evidence for Graphenelike Two-Dimensional Silicon|год=2012-04-12|издание=Physical Review Letters|том=108|выпуск=15|страницы=155501|doi=10.1103/PhysRevLett.108.155501}}</ref>, поэтому предполагается, что он найдёт широкое применение, например, в производстве [[Транзистор|транзисторов]]<ref>{{Статья|ссылка=http://xlink.rsc.org/?DOI=C8CS00338F|автор=Alessandro Molle, Carlo Grazianetti, Li Tao, Deepyanti Taneja, Md. Hasibul Alam|заглавие=Silicene, silicene derivatives, and their device applications|год=2018|язык=en|издание=Chemical Society Reviews|том=47|выпуск=16|страницы=6370–6387|issn=0306-0012, 1460-4744|doi=10.1039/C8CS00338F}}</ref>. В дополнение к его потенциальной совместимости с существующей полупроводниковой техникой, силицен имеет преимущество малой окисляемости кислородом вблизи границы с [[Диоксид кремния|оксидом кремния]]<ref name="DePadova2010a">{{статья|автор=P. De Padova, C. Léandri, S. Vizzini, C. Quaresima, P. Perfetti, B. Olivieri, H. Oughaddou, B. Aufray and G. Le Lay|заглавие=Burning Match Oxidation Process of Silicon Nanowires Screened at the Atomic Scale|год=2008|язык=en|издание={{Нп3|Nano Letters|NanoLetters||Nano Letters}}|тип=journal|том=8|страницы=2299}}</ref>. Расчёты по [[Теория функционала плотности|теории функционала плотности]] показали, что силиценовые плёнки являются отличными материалами для изготовления [[Полевой транзистор|полевых транзисторов]]. Поскольку плоская структура для силицена энергетически невыгодна, он характеризуется упорядоченными искажениями на поверхности и повышенной гибкостью по сравнению с графеном, что также увеличивает спектр его применения в электронике<ref name="Datta Aa">{{статья|автор=Deepthi Jose, Ayan Datta|заглавие=Structures and Electronic Properties of Silicene clusters: A promising material for FET and hydrogen storage|год=2011|язык=en|издание={{Нп3|Physical Chemistry Chemical Physics|Phys. Chem. Chem. Phys.||Physical Chemistry Chemical Physics}}|тип=journal|том=13|страницы=7304}}</ref>. В 2015 году впервые продемонстрирована технология создания транзистора на основе силицена<ref>[[n:Продемонстрирован первый транзистор на основе аналога графена — силицена|Продемонстрирован первый транзистор на основе аналога графена — силицена]] — [[Русские Викиновости]]</ref><ref name="SilTran">{{статья|автор=Tao, L. et al.|заглавие=Silicene field-effect transistors operating at room temperature|год=2015|язык=en|издание=Nature Nanotechnol|тип=journal|doi=10.1038/NNANO.2014.325}}</ref>. Существуют исследования, свидетельствующие в пользу возможности применения силицена для создания [[анод]]а в [[Натрий-ионный аккумулятор|натрий-ионных аккумуляторах]]<ref>{{Статья|ссылка=http://stacks.iop.org/2053-1583/3/i=3/a=035012?key=crossref.0ee82343dda2470f0793f52e5602c777|автор=Jiajie Zhu, Udo Schwingenschlögl|заглавие=Silicene for Na-ion battery applications|год=2016-08-19|издание=2D Materials|том=3|выпуск=3|страницы=035012|issn=2053-1583|doi=10.1088/2053-1583/3/3/035012}}</ref>. Вследствие особенностей [[Адсорбция|адсорбции]] [[газ]]ов на своей поверхности силицен может найти применение в области высокочувствительных молекулярных сенсоров<ref>{{Статья|ссылка=http://xlink.rsc.org/?DOI=C6RA21293J|автор=S. M. Aghaei, M. M. Monshi, I. Calizo|заглавие=A theoretical study of gas adsorption on silicene nanoribbons and its application in a highly sensitive molecule sensor|год=2016|язык=en|издание=RSC Advances|том=6|выпуск=97|страницы=94417–94428|issn=2046-2069|doi=10.1039/C6RA21293J}}</ref>.


== Литература ==
В 2015 году впервые продемонстрирована технология создания транзистора на основе силицена<ref>[[n:Продемонстрирован первый транзистор на основе аналога графена — силицена|Продемонстрирован первый транзистор на основе аналога графена — силицена]] — [[Русские Викиновости]]</ref><ref name="SilTran">{{статья |заглавие=Silicene field-effect transistors operating at room temperature |издание=Nature Nanotechnol |doi=10.1038/NNANO.2014.325 |язык=en |тип=journal |автор=Tao, L. et al. |год=2015}}</ref>.
''Spencer M. J. S., Morishita T.'' Silicene: Structure, Properties and Applications, Springer Series in Materials Science, Volume 235. <nowiki>ISBN 978-3-319-28342-5</nowiki>. Springer International Publishing Switzerland, 2016. — 2016. — ISBN 978-3-319-28342-5.


== Примечания ==
== Примечания ==

Версия от 18:35, 10 января 2020

СТМ изображение первого (4×4) и второго (√3×√3-β) слоев силицена на тонкой плёнке серебра. Размер изображения 16 × 16 нм.[1]

Силицен — двумерное аллотропное соединение кремния, подобное графену, в котором по крайней мере часть атомов находится в sp2-гибридизации[2].

История

Хотя теоретики рассуждали[3][4][5] о существовании и возможных свойствах силицена с середины 1990-х годов, он не был обнаружен до 2010 года, когда исследователи в первый раз наблюдали структуры кремния, похожие на силицен[6][7][8]. Используя сканирующий туннельный микроскоп, они изучили с атомарным разрешением самособранные силиценовые наноленты и силиценовые листы, выращенные на кристалле серебра.

Структура типичного силиценового кластера.

Вычисления согласно теории функционала плотности показали, что атомы кремния образуют сотовые конструкции на серебре с небольшими искривлениями, которые делают графеноподобные конфигурации более вероятными.

В 2012 году силицен был выращен на подложке из диборида циркония ZrB2[9].

Структура и свойства

Структура силицена является метастабильной[10], в отличие от графена он легко взаимодействует с окружающей средой: окисляется на воздухе и связывается с другими материалами[11]. Силицен проявляет сильную склонность к образованию неровностей и гребней на его поверхности, что может являться следствием характера взаимодействия соседних атомов кремния, которые не склонны к образованию sp2-связей[12]: разные расчёты говорят о том, что высота неровностей составляет 0.44 — 0.53 Å. Носители заряда в силицене описываются уравнением Дирака для безмассовых частиц[10], как и в графене, приводящей к линейному закону дисперсии, но существенным преимуществом силицена является возможность управления шириной запрещённой зоны, что важно для практического применения материала[10][13]. Предполагается, что по своим свойствам силицен может быть близок к топологическим изоляторам[11]. При помощи квантовомеханических расчётов было получено, что модуль Юнга в силицене составляет 178 ГПа и была показана возможность управлять электропроводностью силицена путём его механического растяжения, переводя его из состояния полуметалла в металл[14]. Моделирование методом молекулярной динамики даёт меньшее значение для модуля Юнга: около 82 ГПа[15]. При помощи теории функционала плотности показано, что подвижность носителей заряда в силицене составляет 2.57·105 м2/(В·с) при комнатной температуре[16].

Возможные применения

Силицен совместим с кремниевой электроникой, поскольку сам состоит из кремния[17], поэтому предполагается, что он найдёт широкое применение, например, в производстве транзисторов[18]. В дополнение к его потенциальной совместимости с существующей полупроводниковой техникой, силицен имеет преимущество малой окисляемости кислородом вблизи границы с оксидом кремния[19]. Расчёты по теории функционала плотности показали, что силиценовые плёнки являются отличными материалами для изготовления полевых транзисторов. Поскольку плоская структура для силицена энергетически невыгодна, он характеризуется упорядоченными искажениями на поверхности и повышенной гибкостью по сравнению с графеном, что также увеличивает спектр его применения в электронике[20]. В 2015 году впервые продемонстрирована технология создания транзистора на основе силицена[21][22]. Существуют исследования, свидетельствующие в пользу возможности применения силицена для создания анода в натрий-ионных аккумуляторах[23]. Вследствие особенностей адсорбции газов на своей поверхности силицен может найти применение в области высокочувствительных молекулярных сенсоров[24].

Литература

Spencer M. J. S., Morishita T. Silicene: Structure, Properties and Applications, Springer Series in Materials Science, Volume 235. ISBN 978-3-319-28342-5. Springer International Publishing Switzerland, 2016. — 2016. — ISBN 978-3-319-28342-5.

Примечания

  1. ↑ Sone Junki, Yamagami Tsuyoshi, Aoki Yuki, Nakatsuji Kan, Hirayama Hiroyuki. Epitaxial growth of silicene on ultra-thin Ag(111) films // New Journal of Physics. — 2014. — 17 сентября (т. 16, № 9). — С. 095004. — ISSN 1367-2630. — doi:10.1088/1367-2630/16/9/095004. [исправить]
  2. ↑ Antoine Fleurence, Rainer Friedlein, Taisuke Ozaki, Hiroyuki Kawai, Ying Wang. Experimental Evidence for Epitaxial Silicene on Diboride Thin Films (англ.) // Physical Review Letters. — 2012-06-11. — Vol. 108, iss. 24. — P. 245501. — ISSN 1079-7114 0031-9007, 1079-7114. — doi:10.1103/PhysRevLett.108.245501.
  3. ↑ Kyozaburo Takeda and Kenji Shiraishi. Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite (англ.) // Physical Review B : journal. — 1994. — Vol. 50. — P. 14916. — doi:10.1103/PhysRevB.50.14916.
  4. ↑ G. G. Guzman-Verri and L. C. Lew Yan Voon. Electronic structure of silicon-based nanostructures (англ.) // Physical Review B : journal. — 2007. — Vol. 76. — P. 075131. — doi:10.1103/PhysRevB.76.075131.
  5. ↑ Cahangirov, Topsakal, Akturk, Sahin and Ciraci. Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium (англ.) // Physical Review Letters : journal. — 2009. — Vol. 102. — P. 236804. — doi:10.1103/PhysRevLett.102.236804.
  6. ↑ B. Aufray, A. Kara, S. Vizzini, H. Oughaddou, C. Léandri, B. Ealet and G. Le Lay. Graphene-like silicon nanoribbons on Ag(110): A possible formation of silicene (англ.) // Applied Physics Letters : journal. — 2010. — Vol. 96. — P. 183102.
  7. ↑ Research highlight. Silicene: Flatter silicon (англ.) // Nature Nanotechnology : journal. — 2010. — Vol. 5. — P. 384. — doi:10.1038/nnano.2010.124.
  8. ↑ B. Lalmi, H. Oughaddou, H. Enriquez, A. Kara, S. Vizzini, B. Ealet and B. Aufray. Epitaxial growth of a silicene sheet (англ.) // Applied Physics Letters : journal. — 2010. — Vol. 97. — P. 223109.
  9. ↑ A. Fleurence, R. Friedlein, Y. Wang and Y. Yamada-Takamura. Experimental evidence for silicene on ZrB2(0001) (рум.) // Symposium on Surface and Nano Science 2011 (SSNS'11)，Shizukuishi, Japan，2011.01.21.
  10. ↑ 1 2 3 N. D. Drummond, V. Zólyomi, V. I. Fal'ko. Electrically tunable band gap in silicene // Physical Review B. — 2012-02-22. — Т. 85, вып. 7. — С. 075423. — doi:10.1103/PhysRevB.85.075423.
  11. ↑ 1 2 Geoff Brumfiel. Sticky problem snares wonder material (англ.) // Nature. — 2013-03-01. — Vol. 495, iss. 7440. — P. 152–153. — ISSN 1476-4687. — doi:10.1038/495152a.
  12. ↑ Michelle Spencer, Tetsuya Morishita. Silicene: Structure, Properties and Applications. — Springer, 2016-02-19. — 283 с. — ISBN 978-3-319-28344-9.
  13. ↑ Zeyuan Ni, Qihang Liu, Kechao Tang, Jiaxin Zheng, Jing Zhou. Tunable Bandgap in Silicene and Germanene // Nano Letters. — 2012-01-11. — Т. 12, вып. 1. — С. 113–118. — ISSN 1530-6984. — doi:10.1021/nl203065e.
  14. ↑ G. Liu, M. S. Wu, C. Y. Ouyang, B. Xu. Strain-induced semimetal-metal transition in silicene // EPL (Europhysics Letters). — 2012-07-01. — Т. 99, вып. 1. — С. 17010. — ISSN 1286-4854 0295-5075, 1286-4854. — doi:10.1209/0295-5075/99/17010.
  15. ↑ Qing-Xiang Pei, Zhen-Dong Sha, Ying-Yan Zhang, Yong-Wei Zhang. Effects of temperature and strain rate on the mechanical properties of silicene (англ.) // Journal of Applied Physics. — 2014-01-14. — Vol. 115, iss. 2. — P. 023519. — ISSN 1089-7550 0021-8979, 1089-7550. — doi:10.1063/1.4861736.
  16. ↑ Zhi-Gang Shao, Xue-Sheng Ye, Lei Yang, Cang-Long Wang. First-principles calculation of intrinsic carrier mobility of silicene // Journal of Applied Physics. — 2013-09-06. — Т. 114, вып. 9. — С. 093712. — ISSN 0021-8979. — doi:10.1063/1.4820526.
  17. ↑ Patrick Vogt, Paola De Padova, Claudio Quaresima, Jose Avila, Emmanouil Frantzeskakis. Silicene: Compelling Experimental Evidence for Graphenelike Two-Dimensional Silicon // Physical Review Letters. — 2012-04-12. — Т. 108, вып. 15. — С. 155501. — doi:10.1103/PhysRevLett.108.155501.
  18. ↑ Alessandro Molle, Carlo Grazianetti, Li Tao, Deepyanti Taneja, Md. Hasibul Alam. Silicene, silicene derivatives, and their device applications (англ.) // Chemical Society Reviews. — 2018. — Vol. 47, iss. 16. — P. 6370–6387. — ISSN 1460-4744 0306-0012, 1460-4744. — doi:10.1039/C8CS00338F.
  19. ↑ P. De Padova, C. Léandri, S. Vizzini, C. Quaresima, P. Perfetti, B. Olivieri, H. Oughaddou, B. Aufray and G. Le Lay. Burning Match Oxidation Process of Silicon Nanowires Screened at the Atomic Scale (англ.) // NanoLetters[англ.] : journal. — 2008. — Vol. 8. — P. 2299.
  20. ↑ Deepthi Jose, Ayan Datta. Structures and Electronic Properties of Silicene clusters: A promising material for FET and hydrogen storage (англ.) // Phys. Chem. Chem. Phys.[англ.] : journal. — 2011. — Vol. 13. — P. 7304.
  21. ↑ Продемонстрирован первый транзистор на основе аналога графена — силицена — Русские Викиновости
  22. ↑ Tao, L. et al. Silicene field-effect transistors operating at room temperature (англ.) // Nature Nanotechnol : journal. — 2015. — doi:10.1038/NNANO.2014.325.
  23. ↑ Jiajie Zhu, Udo Schwingenschlögl. Silicene for Na-ion battery applications // 2D Materials. — 2016-08-19. — Т. 3, вып. 3. — С. 035012. — ISSN 2053-1583. — doi:10.1088/2053-1583/3/3/035012.
  24. ↑ S. M. Aghaei, M. M. Monshi, I. Calizo. A theoretical study of gas adsorption on silicene nanoribbons and its application in a highly sensitive molecule sensor (англ.) // RSC Advances. — 2016. — Vol. 6, iss. 97. — P. 94417–94428. — ISSN 2046-2069. — doi:10.1039/C6RA21293J.

Ссылки

  • S. Lebegue et al. Electronic structures of two-dimensional crystals from ab initio theory (англ.) // Physical Review B : journal. — 2009. — Vol. 79. — P. 115409.
  • M. De Crescenzi et al. Experimental imaging of silicon nanotubes (англ.) // Applied Physics Letters : journal. — 2005. — Vol. 86. — P. 231901.
  • A. Kara, C. Léandri, M. E. Dávila, P. De Padova, B. Ealet, H. Oughaddou, B. Aufray and G. Le Lay. Physics of Silicene Stripes (неопр.) // J. Supercond. Novel Magn.. — 2009. — Т. 22. — С. 259.
  • A. Kara, S. Vizzini, C. Leandri, B. Ealet, H. Oughaddou , B. Aufray and G. LeLay. Silicon nano-ribbons on Ag(110): a computational investigation (англ.) // Journal of Physics: Condensed Matter[англ.] : journal. — 2010. — Vol. 22. — P. 045004.
  • P. De Padova, C. Quaresima, C. Ottaviani, P. M. Sheverdyaeva, P. Moras, C. Carbone, D. Topwal, B. Olivieri, A. Kara, H. Oughaddou, B. Aufray and G. Le Lay. Evidence of graphene-like electronic signature in silicene nanoribbons (англ.) // Applied Physics Letters : journal. — 2010. — Vol. 96. — P. 261905. — doi:10.1063/1.3459143.
  • Y.L. Song, Y. Zhang, J.M. Zhang, D.B. Lu and K.W. Xu. Can silicon behave like graphene? A first-principles study (англ.) // Applied Physics Letters : journal. — 2010. — Vol. 97. — P. 112106. — doi:10.1038/4591037e.
  • Geoff Brumfiel (2013-03-12). "Sticky problem snares wonder material". Nature News. Дата обращения: 13 марта 2013.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Силицен&oldid=104477773