Крёмер, Герберт

Герберт Крёмер
Herbert Krömer
Дата рождения	25 августа 1928
Место рождения	Веймар, ФРГ
Дата смерти	8 марта 2024(2024-03-08) (95 лет)
Страна	Германия  США
Род деятельности	физик, преподаватель университета
Награды и премии	J. J. Ebers Award (1973) Медаль почёта IEEE (2002) стипендия Александра фон Гумбольдта член Американского физического общества премия Гумбольдта член IEEE IEEE Jack A. Morton Award (1986)
Медиафайлы на Викискладе

Герберт Крёмер (нем. Herbert Krömer 25 августа 1928, Веймар) - немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 г., совместно с Жоресом Алфёровым, «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике». Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби «за вклад в изобретение интегральных схем».

Биография

После окончания курсов подготовки к университету (Abitur), Герберт Крёмер приступает к изучению физики в Йенском университете, где помимо прочего посещал лекции Фридриха Гунда. Во время действия блокады Берлина Крёмер находился на практике в Берлине и воспользовался возможностью для побега на запад. После этого он продолжил обучение в Гёттингенском университете. В 1952 г. он защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах. После этого Крёмер работал в качестве "прикладного теоретика", как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты. В 1954 г. он переехал в США и работал там в различных исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1968 по 1976 Крёмер преподаёт в университете Колорадо в качестве профессора, а затем перешёл в калифорнийский университет в Санта Барбаре.

Достижения

Герберт Крёмер никогда не работал в "модных" областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 г. он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах - основе полупроводниковых лазеров. Обе этих работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.

Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 г. интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb.

В 2000 г. ему присудили Нобелевскую премию по физике, совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби.

Награды

• Награда имени Дж.Дж. Эберс, от IEEE, 1973
• Медаль имени Генриха Велкера от международного симпозиума по GaAs и похожим соединениям, 1982
• Заслуженный лектор от общества электронных устройств IEEE , 1983
• Награда Джэка Мортона от IEEE, 1986
• Исследовательская премия имени Александра фон Гумбольдта, 1994
• Нобелевская премия по физике , 2000

Ссылки

• Информация с сайта Нобелевского комитета (англ.)
• Домашняя страница в калифорнийском университете