Гетероструктура

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Гетероструктура

Гетероструктура — термин в физике полупроводников, обозначающий выращенную на подложке слоистую структуру из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Между двумя различными материалами формируется гетеропереход, на котором возможна повышенная концентрация носителей, и отсюда — формирование вырожденного двумерного электронного газа. В отличие от гомоструктур обладает большей гибкостью в конструировании нужного потенциального профиля зоны проводимости и валентной зоны. Для роста используют много методов, среди которых можно выделить два:

Первый метод позволяет выращивать гетероструктуры с прецизионной точностью (с точностью до атомного монослоя[1]). Второй же не отличается такой точностью, но по сравнению с первым методом обладает более высокой скоростью роста.

За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники Жорес Алферов и Герберт Крёмер,США, получили Нобелевскую премию в 2000 году.

В рамках развития нанотехнологий в России ведётся активное развитие производств, связанных с гетероструктурами, а именно производство солнечных батарей и светодиодов.

См. также[править | править исходный текст]

Примечания[править | править исходный текст]

  1. W. Patrick McCray, MBE deserves a place in the history books, Nature Nanotechnology 2, 259 - 261 (2007) doi:10.1038/nnano.2007.121