Крёмер, Герберт

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Герберт Крёмер
нем. Herbert Krömer
Дата рождения:

25 августа 1928({{padleft:1928|4|0}}-{{padleft:8|2|0}}-{{padleft:25|2|0}}) (85 лет)

Место рождения:

Веймар, Германия

Страна:

ГерманияFlag of Germany.svg Германия
СШАFlag of the United States.svg США

Награды и премии


Нобелевская премия Нобелевская премия по физике (2000)

Герберт Крёмер (нем. Herbert Krömer; род. 25 августа 1928, Веймар, Германия) — немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 год, совместно с Жоресом Алфёровым, «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике». Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби «за вклад в изобретение интегральных схем».

Биография[править | править вики-текст]

После окончания курсов подготовки к университету (Abitur), Герберт Крёмер приступает к изучению физики в Йенском университете, где помимо прочего посещал лекции Фридриха Гунда. Во время действия блокады Берлина Крёмер находился на практике в Берлине и воспользовался возможностью для побега на запад. После этого он продолжил обучение в Гёттингенском университете. В 1952 году он защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах. После этого Крёмер работал в качестве «прикладного теоретика», как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты. В 1954 году он переехал в США и работал там в различных исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1968 по 1976 год Крёмер преподаёт в университете Колорадо в качестве профессора, а затем перешёл в Калифорнийский университет в Санта-Барбаре.

Достижения[править | править вики-текст]

Герберт Крёмер никогда не работал в «модных» областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 году он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах — основе полупроводниковых лазеров. Обе эти работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.

Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 года интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb.

В 2000 году ему была присуждена Нобелевская премия по физике, совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби.

Награды[править | править вики-текст]

  • Награда имени Дж. Дж. Эберс, от IEEE, 1973
  • Медаль имени Генриха Велкера от международного симпозиума по GaAs и похожим соединениям, 1982
  • Заслуженный лектор от общества электронных устройств IEEE , 1983
  • Награда Джэка Мортона от IEEE, 1986
  • Исследовательская премия имени Александра фон Гумбольдта, 1994
  • Нобелевская премия по физике, 2000

Ссылки[править | править вики-текст]