Донор (физика)

Донор — в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные и многозарядные. Например, в кристаллах из элементов IV группы периодической системы элементов кремнии, германии, донорами являются элементы V группы: фосфор, мышьяк, сурьма. Так как элементы пятой группы обладают валентностью 5, то четыре электрона образуют химическую связь с четырьмя соседними атомами кремния в решётке, а пятый электрон оказывается слабо связан (энергия связи порядка нескольких миллиэлектрон-вольт) и образует так называемый водородоподобный примесный центр, энергию, которого просто оценить из решения уравнения Шрёдингера для атома водорода, принимая во внимание, что электрон в кристалле — квазичастица и по массе отличается от массы покоя электрона, а также, что электрон движется не в вакууме, а в среде с некой диэлектрической проницаемостью.

Схематическое изображение кремния с донорной примесью фосфора

Донор электронов - вещество, которое добавляется к полупроводник и отдает один или несколько электронов полупроводнику, создавая избыток электронов - и формирует, так называемый, полупроводник n-типа.

Донор электрона, или просто донор является примесью, имеющее избыток валентных электронов по сравнению с полупроводником, к которому она прилагается. Атом донора удерживает лишний электрон слабо, и при достаточной температуре этот электронн может перейти в зону проводимости, делокалироваться и вносить вклад в электрический ток.

Дополнительный электрон, связанный с атомом донора образует так называемый донорный уровень в запрещенной зоне. Донорный уровень называется мелким, если его энергия (отсчитываемая отдна зоны проводимости) сравненма с характерной энергией теплового движения при комнатной температуре $k_{b}T$, где $T$ - температура, а $k_{B}$ - постоянная Больцмана. Эта энергия составляет примерно 26 мэВ.

Лишний электронн притягивается кулоновским силой к иону донора, который имеет избыточный положительный заряд по сравнению с ионами полупроводника. Вследствие такого притяжения донорные уровни образуют водородоподобную серию с энергиями, которые можно рассчитать по формуле

$E_{d}=E_{C}-R_{H}{\frac {m_{e}^{*}/m_{0}}{\varepsilon ^{2}}}{\frac {1}{n^{2}}}$

где $E_{d}$ - энергия донорного уровня, $E_{C}$ - энергия дна зоны проводимости, $R_{H}$ - постоянная Ридберга (примерно 13,6 эВ), $m_{e}^{*}$ - эффективная масса электрона, $m_{0}$ - масса свободного электрона, $\varepsilon$ - диэлектрическая проницаемость полупроводника, а n - целое число, которое может проегать значения от единицы до бесконечности, но практически важны лишь несколько самых низких уровней с малыми n.

Благодаря тому обстоятельству, что эффективные массы электронов в полупроводниках малы, а диэлектрические проницаемости довольно большие (порядка 10), энергия донорных уровней мала, а радиусы локализации соответствующих волновых функций довольно большие ~10 нм, распространяются на несколько периодов кристаллической решетки.