Фосфид индия

Фосфид индия
Фосфид индия
Общие
Хим. формула	InP
Физические свойства
Молярная масса	145.79 г/моль
Плотность	4.81 г/см³
Термические свойства
	Температура
• плавления	1062 °C
Структура
Кристаллическая структура	кубическая, структура сфалерита
Классификация
Рег. номер CAS	22398-80-7
PubChem	31170
Рег. номер EINECS	244-959-5
SMILES	P#[In]
InChI	InChI=1S/In.P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
ChEBI	82281
ChemSpider	28914 и 22199222
	Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
	Медиафайлы на Викискладе

Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твёрдые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.

По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.

Ссылки[править | править код]