Отрицательное дифференциальное сопротивление: различия между версиями
[отпатрулированная версия] | [непроверенная версия] |
Нет описания правки |
Нет описания правки |
||
Строка 7: | Строка 7: | ||
Характер изменения {{math|''I''(''V'')}} можно наблюдать на [[Вольт-амперная характеристика|вольт-амперной характеристике (ВАХ)]] (см. рисунок). C точки зрения радиотехники такие элементы являются активными, позволяют преобразовать энергию источника питания в незатухающие колебания, могут использоваться в схемах переключения. |
Характер изменения {{math|''I''(''V'')}} можно наблюдать на [[Вольт-амперная характеристика|вольт-амперной характеристике (ВАХ)]] (см. рисунок). C точки зрения радиотехники такие элементы являются активными, позволяют преобразовать энергию источника питания в незатухающие колебания, могут использоваться в схемах переключения. |
||
В общем случае отрицательное [[внутреннее сопротивление]] является функцией напряжения (тока) и частоты {{math|''ω''}}, то есть понятие |
В общем случае отрицательное [[внутреннее сопротивление]] является функцией напряжения (тока) и частоты {{math|''ω''}}, то есть понятие отрицательного дифференциального сопротивления сохраняет смысл для соответствующих компонент разложения в [[ряд Фурье]]: |
||
: <math>R (\omega) = dV(\omega)/dI(\omega).</math> |
: <math>R (\omega) = dV(\omega)/dI(\omega).</math> |
||
Строка 21: | Строка 21: | ||
* Полупроводники типа ''[[Арсенид галлия|GaAs]]'' или ''[[Фосфид индия|InP]]'' в сильных [[Электрическое поле|электрических полях]] позволяют реализовать характеристику [[N-тип]]а в объёме материала за счёт зависимости подвижности электронов от [[Напряжённость электрического поля|напряжённости электрического поля]] ([[эффект Ганна]]). В сильном электрическом поле образец становится неустойчивым, переходит в резко неоднородное состояние — разбивается на области (домены) слабого и сильного поля. Рождение домена (на катоде), его движение по образцу и исчезновение (на аноде) сопровождаются колебаниями тока во внешней цепи, частота которых в простейшем случае определяется длиной образца {{math|''L''}} и скоростью {{math|''v''}} дрейфа электронов в поле ({{math|''ω'' ~ ''v''/''L''}}) и может достигать {{s|~ 100 [[Гига-|Г]][[Герц (единица измерения)|Гц]]}}. |
* Полупроводники типа ''[[Арсенид галлия|GaAs]]'' или ''[[Фосфид индия|InP]]'' в сильных [[Электрическое поле|электрических полях]] позволяют реализовать характеристику [[N-тип]]а в объёме материала за счёт зависимости подвижности электронов от [[Напряжённость электрического поля|напряжённости электрического поля]] ([[эффект Ганна]]). В сильном электрическом поле образец становится неустойчивым, переходит в резко неоднородное состояние — разбивается на области (домены) слабого и сильного поля. Рождение домена (на катоде), его движение по образцу и исчезновение (на аноде) сопровождаются колебаниями тока во внешней цепи, частота которых в простейшем случае определяется длиной образца {{math|''L''}} и скоростью {{math|''v''}} дрейфа электронов в поле ({{math|''ω'' ~ ''v''/''L''}}) и может достигать {{s|~ 100 [[Гига-|Г]][[Герц (единица измерения)|Гц]]}}. |
||
* В транзисторных и ламповых [[Генератор колебаний электрический|генераторах электромагнитных колебаний]] транзистор (лампа) вместе с цепью [[Положительная обратная связь|положительной обратной связи]] (и источником питания) играет роль отрицательного дифференциального сопротивления, соединённого последовательно с сопротивлением контура, что эквивалентно поступлению энергии в контур. Если абсолютная величина действующего отрицательного внутреннего сопротивления превышает активные потери, происходит самовозбуждение генератора |
* В транзисторных и ламповых [[Генератор колебаний электрический|генераторах электромагнитных колебаний]] транзистор (лампа) вместе с цепью [[Положительная обратная связь|положительной обратной связи]] (и источником питания) играет роль отрицательного дифференциального сопротивления, соединённого последовательно с сопротивлением контура, что эквивалентно поступлению энергии в контур. Если абсолютная величина действующего отрицательного внутреннего сопротивления превышает активные потери, происходит самовозбуждение генератора; стационарные колебания соответствуют состоянию, когда активные потери полностью компенсируются за счёт отрицательного внутреннего сопротивления. |
||
* [[Газоразрядная лампа]] имеет отрицательное дифференциальное сопротивление |
* [[Газоразрядная лампа]] имеет отрицательное дифференциальное сопротивление. После зажигания лампы протекающий в ней ток многократно возрастает. Если ток не ограничить, лампа выйдет из строя. |
||
== См. также == |
== См. также == |
||
* [[Внутреннее сопротивление]] |
* [[Внутреннее сопротивление]] |
||
* [[Полупроводники]] |
* [[Полупроводники]] |
||
* [[Кристадинный эффект]] |
|||
== Примечания == |
== Примечания == |
Версия от 06:11, 20 сентября 2016
Если через отдельные элементы или узлы электрической цепи протекает ток I, и при увеличении тока I уменьшается напряжение V на этих элементах, то сопротивление R таких элементов называют отрица́тельным дифференциа́льным.
- dV/dl = R < 0.
Характер изменения I(V) можно наблюдать на вольт-амперной характеристике (ВАХ) (см. рисунок). C точки зрения радиотехники такие элементы являются активными, позволяют преобразовать энергию источника питания в незатухающие колебания, могут использоваться в схемах переключения.
В общем случае отрицательное внутреннее сопротивление является функцией напряжения (тока) и частоты ω, то есть понятие отрицательного дифференциального сопротивления сохраняет смысл для соответствующих компонент разложения в ряд Фурье:
Понятие отрицательного дифференциального сопротивления используют при рассмотрении устойчивости различных радиотехнических цепей. Такое сопротивление может компенсировать некоторую часть потерь в электрической цепи, если его абсолютная величина меньше активного сопротивления; в противоположном случае состояние становится неустойчивым, возможен переход в другое состояние (состояние устойчивого равновесия) (переключение) или возникновение колебаний (генерация). В однородном образце полупроводника в области существования отрицательного дифференциального сопротивления неустойчивость может приводить к разбиению образца на участки сильного и слабого поля (доменная неустойчивость) для характеристики N-типа или шунтированию тока по сечению образца для характеристики S-типа.
Элемент цепи с отрицательным сопротивлением называют негатроном[1]. Такие элементы могут иметь различную физическую реализацию.
Примеры элементов с отрицательным внутренним сопротивлением
- Электронно-дырочный переход в вырожденных полупроводниках (туннельный диод) имеет вольтамперную характеристику N-типа. Включение его в цепь приводит к возникновению в цепи неустойчивости и генерации колебаний. Амплитуда и частотный спектр колебаний определяются параметрами внешней цепи и нелинейностью вольт-амперной характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Наличие такого участка позволяет использовать туннельный диод в качестве быстродействующего переключателя.
- Полупроводники типа GaAs или InP в сильных электрических полях позволяют реализовать характеристику N-типа в объёме материала за счёт зависимости подвижности электронов от напряжённости электрического поля (эффект Ганна). В сильном электрическом поле образец становится неустойчивым, переходит в резко неоднородное состояние — разбивается на области (домены) слабого и сильного поля. Рождение домена (на катоде), его движение по образцу и исчезновение (на аноде) сопровождаются колебаниями тока во внешней цепи, частота которых в простейшем случае определяется длиной образца L и скоростью v дрейфа электронов в поле (ω ~ v/L) и может достигать ~ 100 ГГц.
- В транзисторных и ламповых генераторах электромагнитных колебаний транзистор (лампа) вместе с цепью положительной обратной связи (и источником питания) играет роль отрицательного дифференциального сопротивления, соединённого последовательно с сопротивлением контура, что эквивалентно поступлению энергии в контур. Если абсолютная величина действующего отрицательного внутреннего сопротивления превышает активные потери, происходит самовозбуждение генератора; стационарные колебания соответствуют состоянию, когда активные потери полностью компенсируются за счёт отрицательного внутреннего сопротивления.
- Газоразрядная лампа имеет отрицательное дифференциальное сопротивление. После зажигания лампы протекающий в ней ток многократно возрастает. Если ток не ограничить, лампа выйдет из строя.
См. также
Примечания
- ↑ Биберман Л. И. Широкодиапазонные генераторы на негатронах. – М.: Радио и связь, 1982. – 89 с.
Литература
- Бонч-Бруевич А. М. Радиоэлектроника в экспериментальной физике.
- Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников.
- Бенинг 3. Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. — М., 1975.