Фальковский, Леонид Александрович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с фамилией Фальковский.
Леонид Александрович Фальковский
Фальковский Леонид Александрович.jpg
Дата рождения 16 октября 1936(1936-10-16)
Место рождения Москва, СССР
Дата смерти 27 марта 2020(2020-03-27) (83 года)
Место смерти Москва, Россия
Страна  СССР Россия
Научная сфера теоретическая физика
Место работы ИТФ им. Ландау
Альма-матер физический факультет МГУ
Учёная степень доктор физико-математических наук
Научный руководитель Абрикосов, Алексей Алексеевич

Леонид Александрович Фальковский (16 октября 1936, Москва27 марта 2020) — советский и российский физик-теоретик, доктор физико-математических наук, профессор.

Биография[править | править код]

Родился в Москве 16 октября 1936 года в семье художника Александра Павловича Фальковского, будущего главного художника Союзгосцирка, и его жены Раисы Алексеевны Шустиной, учителя истории, впоследствии директора школы-интерната.

В 1954 году поступает на физический факультет МГУ и вскоре приходит в школу Ландау: его фамилия появляется под номером 31 в знаменитом, принадлежащем руке Ландау, списке сдавших теорминимум самому Учителю; запись датирована 1959 годом. Тогда же он становится аспирантом А.А. Абрикосова, и уже их первая совместная работа «Комбинационное рассеяние света в сверхпроводниках», опубликованная в ЖЭТФ в 1961 году [1], становится классической как в теории сверхпроводимости, так и для последующих исследований в области комбинационного (рамановского) рассеяния.

За ней, в 1962 году, следует не менее известная работа тех же авторов об энергетическом спектре электронов в металлах с решеткой висмута [2], где предлагается оригинальная деформационная теория и на многие годы вперед указывается путь для исследований данного материала и его сплавов. Примечательно, что в этой работе уже тогда, почти за полвека до графенового бума, в спектре квазичастиц возникают дираковские фермионы.

В последующей серии работ демонстрирует научный стиль, характерный для школы Ландау: применение методов теоретической физики в тесном взаимодействии с экспериментом. Он формулирует граничное условие для функции распределения приповерхностных электронов и анализирует его в зависимости от угла рассеяния [3]. В свете предложенного подхода подробно рассматриваются скин-эффект, циклотронный резонанс, сопротивление тонких пленок и проволок [4-8].

Позже Л.А. Фальковский увлекся изучением свойств примесных состояний, краевых состояний в квантовых точках, сверхбыстрых процессов релаксации решетки и другими актуальными задачами физики металлов и полупроводников [9-11].

В 1966 г. стал одним из первых сотрудников Института теоретической физики им. Л.Д. Ландау и много лет был ученым секретарем его Диссертационного совета. Значительное время посвящал преподаванию и работе со студентами, был профессором Московского физико-технического института (МФТИ), принимал активное участие в издании научной литературы. В последние годы совмещал научную деятельность в Институте Ландау с работой в Институте физики высоких давлений РАН, вел обширное международное сотрудничество, руководил работой российской группы в большом европейском проекте, посвященном изучению свойств графена.

Большой научный успех пришел к Л.А.Фальковскому в конце жизни: с открытием удивительных свойств графена он просто ворвался в эту новую область физики, публикуя одну за другой широко признанные сегодня мировым сообществом работы по кинетике электронов, оптике, магнитооптике, динамическим свойствам этого материала. Так, им была впервые найдена частотная дисперсия динамической проводимости графена, многослойного графена и полупроводников IV-VI групп, обнаружена аномально большая диэлектрическая проницаемость (с логарифмической особенностью в действительной части и ступенчатой в мнимой) на пороге прямых межзонных переходов в полупроводниках IV-VI групп [12-15]. Последняя оказалась обусловлена узким зазором и линейностью электронного спектра, которые являются общими чертами этих материалов. Фальковский нашел, что коэффициент пропускания графена в оптическом диапазоне не зависит от частоты, а его отклонение от единицы дает значение постоянной тонкой структуры. Он показал, в чем заключается общность, а в чем различия в характере плазмонов и электромагнитных волн, распространяющихся вблизи порога поглощения в полупроводниках и графене.


Избранные публикации

1. А.А. Абрикосов, Л.А. Фальковский, Комбинационное рассеяние света с сверхпроводниках, ЖЭТФ, 40(1), 262-270 (1961) [A.A. Abrikosov, L.A. Fal’kovskii, Raman scattering if light in superconductors, Sov. Phys. JETP 13(1), 179-184 (1961).

2. А.А. Абрикосов, Л.А. Фальковский, Теория элекронного энергетического спектра металла с решеткой висмута, ЖЭТФ, 43(3), 1089-1101 (1962) [A.A. Abrikosov, L.A. Falkovskiǐ, Theory of the Electron Energy Spectrum of Metals with a Bismuth Type Lattice, Sov. Phys. JETP 16(3), 769-777 (1963).

3. М.С. Хайкин, Л.А. Фальковский, В.С. Эдельман, Р.Т. Мина, Свойства магнитоплазменных волн в монокристаллах висмута, ЖЭТФ, 45(6), 1704-1716 (1963) [M.S. Khaikin, L.A. Fal’kovskii, V.S. Edel’man, R.T. Mina, Properties of magnetoplasma waves in bismuth single crystal, Sov. Phys. JETP 18(5), 1167-1175 (1964).

4. Л.А. Фальковский, Теория электронных спектров металлов типа висмута в магнитном поле, ЖЭТФ, 44 (5?), 1935-1940 (1963); Errata — 45, 398 (1963) [L.A. Falkovskii, Theory of electron spectra of bismuth type metals in a magnetic field, Sov. Phys. JETP 17(6), 1302-1305 (1963).

5. Л.А. Фальковский, Диффузное граничное условие для электронов проводимости, Письма в ЖЭТФ, 11 (4), 222-226 (1970) [L.A. Fal’kovskii, Diffuse Boundary Condition for Conduction Electrons, JETP Lett., 11 (4), 138-141 (1970).

6. Л.А. Фальковский, Скин-эффект на шероховатой поверхности, ЖЭТФ, 60 (2), 838-845 (1971) [L.A. Fal’kovskiǐ, Skin effect on a rough surface, Sov. Phys. JETP 33(2), 454-457 (1971).

7. Л.А. Фальковский, О некоторых граничных задачах со случайной поверхностью, Успехи мат. наук, 29:3(177), 245–246 (1974).

8. Л.А. Фальковский, О сопротивлении тонких металлических образцов, ЖЭТФ, 64 (5), 1855-1860 (1973) [L.A. Fal’kovskiǐ, The resistance of thin metallic samples, Sov. Phys. JETP 37(5), 937-939 (1973).

9. L.A. Falkovsky, Theory of impurity states in Bi-Sb alloys, Proc. Int. Conference on Low Temperature Physics. Otaniemi, Finland, 14 Aug 1975, Vol.3, p.134-136. Ed. by M. Krusius, M. Vuorio, North-Holland, 1975, xiii+525 pp.

10. Л.А. Фальковский, О влиянии магнитного поля на примесные состояния в веществе с узкой запрещенной зоной, Физика тверд. тела, 17(10), 2849-2856 (1975) [L.A. Fal’kovskii, Effect of magnetic field on impurity states in a narrow-gap semiconductor, Sov. Phys. Solid State 17(10), 1905-1908 (1976)], WoS: A1975AU49300001.

11. Л.А. Фальковский, О примесных состояниях в веществах с узкой запрещенной зоной, ЖЭТФ, 68 (4), 1529-1538 (1975) [L.A. Fal’kovskiǐ, Impurity states in substances with narrow energy gaps, Sov. Phys. JETP 41(4), 767-771 (1975)], WoS: A1975AD08900039.

12. L.A. Falkovsky, Optical properties of graphene, J. Phys.: Conf. Ser., 129, 012004 (2008); arXiv:0806.3663.

13. L.A. Falkovsky, A.A. Varlamov, Space-time dispersion of graphene conductivity, Eur. Phys. J. B 56 (4), 281-284 (2007); cond-mat/0606800.

14. L.A. Falkovsky, S.S. Pershoguba, Optical far-infrared properties of graphene monolayer and multilayers, Phys. Rev. B 76, 153410 (2007) (4 pages); arXiv:0707.1386.

15. Л.А. Фальковский, Оптические свойства графена и полупроводников типа A4B6, Успехи физ. наук, 178 (9), 923-934 (2008) [L.A. Falkovsky, Optical properties of graphene and IV–VI semiconductors, Phys.-Usp. 51(9), 887-897 (2008).


Литература[править | править код]