Антимонид галлия
(перенаправлено с «GaSb»)
| Антимонид галлия | |
|---|---|
| Общие | |
| Хим. формула | GaSb |
| Физические свойства | |
| Состояние | твердый |
| Молярная масса | 191,483 г/моль |
| Плотность | 5.619 г/см³ |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 710 °C |
| Критическая точка | Температура: 385 °C Давление 5,58 ГПа |
| Теплопроводность | 35 Вт/(м·K) |
| Удельная теплота плавления | −44,2 Дж/кг |
| Структура | |
| Кристаллическая структура | кубическая (а = 0,609593 нм), структура сфалерита |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 12064-03-8 |
| PubChem | 4227894 и 9794125 |
| Рег. номер EINECS | 235-058-8 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChemSpider | 3436915 и 7969892 |
| Безопасность | |
| NFPA 704 | |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Антимони́д га́ллия (стибид галлия) — химическое соединение галлия и сурьмы. Химическая формула — GaSb. Представляет собой светло-серые кристаллы с металлическим блеском. Постоянная решётки при комнатной температуре составляет около 0,610 нм[1].
Свойства
[править | править код]- S°298: 76,17 Дж/(моль·К)
- Подвижность электронов: 4000 см²/(В·с)
- Подвижность дырок: 800 см²/(В·с)
- Эффективная масса электронов проводимости: me = 0,041m0 (где m0 — масса свободного электрона)[2]
Антимонид галлия устойчив на воздухе и в воде, медленно взаимодействует с минеральными кислотами и концентрированными растворами щелочей. Прямозонный полупроводник группы AIIIBV с шириной запрещённой зоны 0,726 эВ при 300 K. Используется для создания светодиодов, работающих в инфракрасной области спектра, туннельных диодов.
Получение
[править | править код]Получают GaSb сплавлением Ga с 5%-ным избытком Sb в атмосфере Н2, в кварцевых или графитовых контейнерах, после чего GaSb гомогенизируют зонной плавкой.
Примечания
[править | править код]- ↑ Vurgaftman, I., Meyer, J. R., Ram-Mohan, L. R. (2001). Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics. 89 (11): 5815—5875. Bibcode:2001JAP....89.5815V. doi:10.1063/1.1368156.
- ↑ Basic Parameters of Gallium Antimonide (GaSb) (англ.). Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН. Дата обращения: 10 ноября 2025.
В статье имеются утверждения, не подкреплённые источниками.
