Теллурид свинца

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Теллурид свинца
Теллурид свинца
Общие
Хим. формула PbTe
Физические свойства
Состояние твердый
Молярная масса 334,80 г/моль
Плотность 8,16 г/см3

Период решетки 0,646 нм

Термические свойства
Т. плав. 924 °C
Коэфф. тепл. расширения 19,8*10-6 K-1
Структура
Кристаллическая структура кубическая, структура NaCl
Классификация
Рег. номер CAS 1314-91-6
PubChem 4389803
SMILES
InChI
ChemSpider 3591410
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного.

Теллури́д свинца́ (PbTe) — бинарное неорганическое химическое соединение свинца и теллура, кристаллизующееся в кубической структуре типа NaCl. Узкозонный прямозонный полупроводник группы AIVBVI [1] с шириной запрещённой зоны 0,31 эВ при 300 K. Популярный термоэлектрический материал. Встречается в природе в виде минерала алтаита.

Теллурид свинца имеет необычно высокую для полупроводников диэлектрическую проницаемость (410 при 300 K), величина которой увеличивается до 3000 при охлаждении до 4,2 K. Поэтому теллурид свинца относят к виртуальным сегнетоэлектрикам[2].

Большое практическое значение имеет тройное соединение свинец-олово-теллур (на англ.), имеющее ширину запрещенной зоны, зависящую от количества олова. Оно используется при изготовлении фоторезисторов, фотодиодов, лазеров, работающих в инфракрасной области спектра.

Примечания[править | править вики-текст]

  1. (1985) «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A4B6». Успехи физических наук 145: 51-86.
  2. (1970) «Paraelectric Behavior of PbTe». Phys. Rev. Lett. 25: 159-162. DOI:10.1103/PhysRevLett.25.159.

Ссылки[править | править вики-текст]

  • G. Nimtz, B. Schlicht. "Narrow-gap lead salts" in Narrow-gap semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics, vol. 98, p. 1-117 (1983).
  • Dalven, R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO, Infrared Physics, 9, 141 - 184 (1969)
  • H. Preier. Recent Advances in Lead-Chalcogenide Diode Lasers, Applied Physics 10, 189-206, 1979.
  • H. Maier and J. Hesse. "Growth, Properties and Applications of Narrow-Gap Semiconductors" in Crystal Growth, Properties and Applications, ed. H.C. Freyhardt, 145-219, Springer Verlag, Berlin, 1980.