Теллурид кадмия
(перенаправлено с «CdTe»)
| Теллурид кадмия | |
|---|---|
 Кристаллическая структура типа цинковой обманки | |
 | |
| Общие | |
| Хим. формула | CdTe |
| Физические свойства | |
| Состояние | твердый |
| Молярная масса | 240,01 г/моль |
| Плотность | 5,85 г/см³ |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 1092 °C |
| Структура | |
| Кристаллическая структура | кубическая, структура сфалерита |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 1306-25-8 |
| PubChem | 91501 |
| Рег. номер EINECS | 215-149-9 |
| SMILES | |
| InChI | |
| RTECS | EV3330000 |
| ChemSpider | 82622 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
 Медиафайлы на Викискладе | |
Теллури́д ка́дмия (CdTe) — бинарное химическое соединение кадмия и теллура.
Прямозонный полупроводник группы AIIBVI с шириной запрещённой зоны 1,49 эВ при 300 K.
Используется для создания солнечных батарей, детекторов ионизирующих излучений, фотоприемников.
Физические свойства[править | править код]
- Коэффициент линейного теплового расширения 5,9·10−6 1/K при 293 K[1].
- Модуль Юнга 52 ГПа.
- Коэффициент Пуассона 0,41.
- Прозрачен для инфракрасного излучения с длинами волн от 830 нм (от энергии, близкой к ширине его запрещенной зоне 1,5 эВ при 300 К[2]), до около 20 мкм.
Флуоресцирует с пиком флуоресценции при 790 нм. При уменьшении размера кристаллов CdTe до нескольких нанометров или менее того, что превращает их в квантовые точки, пик флуоресценции смещается из видимого диапазона в ультрафиолетовый диапазон, как показано на рисунке спектра флюоресценции.
Химические свойства[править | править код]
Плохо растворяется в воде. Взаимодействует даже со слабыми кислотами с выделение весьма ядовитого теллуроводорода и образованием соответствующей соли.
Примечания[править | править код]
- ↑ Palmer, D W Properties of II-VI Compound Semiconductors. Semiconductors-Information (март 2008). Дата обращения: 19 сентября 2020. Архивировано 26 сентября 2018 года.
- ↑ Fonthal, G.; et al. (2000). "Temperature dependence of the band gap energy of crystalline CdTe". J. Phys. Chem. Solids. 61 (4): 579—583. Bibcode:2000JPCS...61..579F. doi:10.1016/s0022-3697(99)00254-1.
Литература[править | править код]
- Бовина Л. А. и др. Физика соединений AIIBVI / под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. — М. : Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. — 319, [1] с. : рис., табл. — 2600 экз.
