High Bandwidth Memory

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Видеокарта, которая использует HBM в разрезе. Сверху: видеопроцессор и многокристальные микросборки памяти HBM расположены на общем кремниевом пассивном кристалле "silicon interposer", который реализует электрическую связь процессора и памяти. Interposer через Package Substrate припаян к печатной плате графического ускорителя (внизу).

НВМ (с англ. — «память с высокой пропускной способностью») — это высокопроизводительный интерфейс ОЗУ для DRAM c многослойной компоновкой кристаллов в микросборке от компаний AMD и Hynix. Она находит применение в высокопроизводительных видеокартах и сетевых устройствах.[1] Также существует технология-конкурент: Hybrid Memory Cube от Micron Technology.[2] AMD Fiji и AMD Arctic Islands являются первыми видеопроцессорами, использующими НВМ.[3]

HBM была стандартизирована JEDEC в октябре 2013 как JESD235.[4] HBM2 стандартизована в январе 2016 года как JESD235a.[5] На середину 2016 года сообщалось о работах над HBM3 и более дешевым вариантом HBM[6]

Технология[править | править вики-текст]

HBM обеспечивает более высокую пропускную способность при меньшем расходе энергии и существенно меньших размерах, по сравнению с DDR4 или GDDR5.[7] Это достигается путём объединения в стек до восьми интегральных схем DRAM (включая опциональную базовую схему с контроллером памяти), которые соединены между собой с помощью сквозных кремниевых межсоединений (англ. through-silicon vias) и микроконтактных выводов (англ. microbumps).

Шина НВМ памяти очень широка по сравнению с памятью DRAM. НВМ стек из четырех кристаллов DRAM (4-Hi) имеет два 128-битных канала на кристалл. В общей сложности 8 каналов и ширина в 1024 бита. Чип с четырьмя 4-Hi НВМ стеками будет иметь ширину канала памяти в 4096 бита. Для сравнения, ширина шины GDDR памяти 64 бита на один канал.[8]

HBM 2[править | править вики-текст]

12 января 2016, HBM 2 память была стандартизирована как JESD235a.[5]

HBM 2 позволяет разместить до 8 схем на штабеле, что удваивает пропускную способность.

История[править | править вики-текст]

AMD Fiji, первый GPU, использующий HBM.

AMD начала разработку HBM в 2008 году, чтобы решить проблему постоянно растущего энергопотребления и уменьшения форм-фактора памяти. Среди прочего, компания AMD разработала технологии упаковки интегральных схем в стек во главе с Брайаном Блэком. Партнеры:SK Hynix, UMC, Amkor Technology и ASE были также вовлечены в разработку.[9] Массовое производство началось на заводах Hynix в Ичхоне в 2015 году.

См. также[править | править вики-текст]

Примечания[править | править вики-текст]

  1. ISSCC 2014 Trends page 118 «High-Bandwidth DRAM»
  2. Where Are DRAM Interfaces Headed?
  3. Morgan, Timothy Prickett. Future Nvidia ‘Pascal’ GPUs Pack 3D Memory, Homegrown Interconnect, EnterpriseTech (March 25, 2014). Проверено 26 августа 2014. «Nvidia will be adopting the High Bandwidth Memory (HBM) variant of stacked DRAM that was developed by AMD and Hynix».
  4. HIGH BANDWIDTH MEMORY (HBM) DRAM (JESD235), JEDEC, October 2013
  5. 1 2 JESD235a: High Bandwidth Memory 2 (12 января 2016).
  6. SK Hynix, Samsung and Micron Talk HBM, HMC, DDR5 at Hot Chips 28
  7. HBM: Memory Solution for Bandwidth-Hungry Processors, Joonyoung Kim and Younsu Kim, SK hynix // Hot Chips 26, August 2014
  8. Highlights of the HighBandwidth Memory (HBM) Standard.
  9. [1] High-Bandwidth Memory (HBM) from AMD: Making Beautiful Memory

Ссылки[править | править вики-текст]