Шокли, Уильям Брэдфорд
Уильям Брэдфорд Шокли | |
---|---|
англ. William Bradford Shockley | |
Дата рождения | 13 февраля 1910 |
Место рождения | Лондон, Англия |
Дата смерти | 12 августа 1989 (79 лет) |
Место смерти | Стэнфорд, Калифорния, США |
Страна | США |
Научная сфера | Физика полупроводников |
Место работы | |
Альма-матер | Калифорнийский технологический институт |
Учёная степень | доктор философии по физике[d] |
Научный руководитель | Слейтер, Джон Кларк |
Известен как | один из открывателей транзисторного эффекта |
Награды и премии | Нобелевская премия по физике 1956 года |
Сайт | shockleytransistor.com |
Медиафайлы на Викискладе |
Уильям Брэдфорд Шокли (англ. William Bradford Shockley; 13 февраля 1910, Лондон — 12 августа 1989, Стэнфорд, Калифорния) — американский физик английского происхождения, лауреат Нобелевской премии по физике 1956 года. Член Национальной академии наук США (1951).
Биография
Шокли родился в Лондоне (Англия). В 1932 он окончил Калифорнийский технологический институт, в течение ряда лет (1936-55) работал в лабораториях фирмы «Белл телефон». Затем он руководил лабораторией полупроводников фирмы «Бекман Инструментс Инкорпорейшн» (1955-58), являлся президентом «Шокли Транзистор Корпорейшн» (1958-60) и директором «Шокли Транзистор» (1960-63). Позже Шокли являлся профессором Стэнфордского университета (1963-75).
Научная деятельность
Шокли является автором работ по физике твердого тела и полупроводников. Ряд из них посвящен энергетическим состояниям в твердых телах (металлах и сплавах), вопросам теории дислокаций и ферромагнетизма. В 1948 он обнаружил «эффект поля», предположил важную роль дефектов кристаллической структуры как катализаторов для процесса рекомбинации зарядов в полупроводниках, экспериментально наблюдал дырочную проводимость, исследовал эффекты инжекции носителей заряда. Шокли предложил методы создания диффузионного базового транзистора. Вместе с Дж. Хейнсом он смог непосредственно измерить подвижность и время жизни носителей заряда в германии (опыт Хейнса-Шокли, 1949), с Г. Сулом установил влияние магнитного поля на концентрацию носителей. Шокли построил теорию p-n-перехода, получил уравнение для плотности полного тока в нем (уравнение Шокли, 1949) и на основе этого предложил p-n-p-транзистор. В 1951 он предсказал явление насыщения в полупроводниках и разработал метод определения эффективной массы носителей заряда. В 1956 «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта» Шокли совместно с Джоном Бардином и Уолтером Браттейном был удостоен Нобелевской премии по физике.
Публикации
- В. Шокли, Ф. Никс. Процессы упорядочения в сплавах. // УФН. — 1938. — № 7.
- В. Шокли, Ф. Никс. Превращения в сплавах. // УФН. — 1938. — № 8.
- В. Шокли. Природа металлического состояния. // УФН. — 1941. — № 3.
- В. Шокли. Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. - М.: Изд-во иностр. лит., 1953.
- В. Шокли. Физика транзисторов. // УФН. — 1958. — Т. 64, № 1.
- У. Шокли. Проблемы,связанные с р -n-переходами в кремнии. // УФН. — 1962. — Т. 77, № 5.
Литература
- Ю.А. Храмов. Физики: Биографический справочник. - 2-е изд. - М.: Наука, 1983. - С. 301.
См. также
Ссылки
Это заготовка статьи об учёном-физике. Помогите Википедии, дополнив её. |