Антисегнетоэлектричество

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
(перенаправлено с «Антисегнетоэлектрик»)
Перейти к навигации Перейти к поиску
Двойная петля гистерезиса в антисегнетоэлектрике

А́нтисегне́тоэлектри́чество — физическое явление, заключающееся в том, что в некоторых кристаллах в определённом интервале температур у рядом стоящих ионов кристаллической решётки электрические дипольные моменты ориентированы антипараллельно, диполи каждой ориентации образуют взаимопроникающие подрешетки, примерно аналогичные решетке типа шахматной доски[1][2], в то время как для сегнетоэлектриков они ориентированы параллельно. Упорядочивание диполей аналогично явлению антиферромагнетизма имеющее ту же физическую природу, что и сегнетоэлектричество.

Переход к антисегнетоэлектрическому состоянию наступает при снижении температуры кристалла до некоторого значения, называемого антисегнетоэлектрической точкой Кюри или температурой Нееля.

При наложении внешнего электрического поля в материале возникает слабая поляризация. При этом максимум диэлектрической проницаемости материала наблюдается в точке Кюри. При достаточно сильных полях антисегнетоэлектрик может перейти в сегнетоэлектрическое состояние. Это приводит к наблюдению так называемых двойных петель гистерезиса на графике P(E), где P — поляризация диэлектрика, E — напряжённость внешнего поля.

Наиболее известным и часто используемым антисегнетоэлектриком с кристаллической структурой типа перовскита является цирконат свинца (). Также антисегнетоэлектриком является гафнат свинца (). Эти соединения используются при производстве электрических конденсаторов в качестве диэлектрика[3].

Примечания[править | править код]

  1. Compendium of chemical terminology - Gold Book. — International Union of Pure and Applied Chemistry, 2014.
  2. Charles Kittel (1951). “Theory of Antiferroelectric Crystals”. Phys. Rev. 82 (5): 729—732. Bibcode:1951PhRv...82..729K. DOI:10.1103/PhysRev.82.729.
  3. High-Voltage-Capacitors.

Литература[править | править код]

  • Сивухин Д. В. Электричество. — С. 173.