Селенид меди-индия-галлия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Селенид меди-индия-галлия
Элементарная ячейка кристаллов типа халькопирита

__ Cu     __ Ga или In     __Se
Общие
Традиционные названия Селенид меди-индия-галлия
Хим. формула CuInxGa1−xSe2
Физические свойства
Молярная масса переменная, зависит
от х г/моль
Плотность ~ 5,7 г/см³
Термические свойства
Т. плав. от 1070 (x=0) до 990 (x=1)
Структура
Координационная геометрия инверсионно-планальная
Кристаллическая структура

тетрагональная,

типа халькопирита
Классификация
Рег. номер CAS 12018-95-0 (x=1),
12018-84-7 (x=0)
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного.

Селенид меди-индия-галлия (также CIGS — англ. Copper indium gallium selenide) — полупроводниковое соединение меди, индия, галлия и селена. Представляет собой твердый раствор селенида меди-индия (CIS) и селенида меди-галлия, состав которого выражается формулой CuInxGa1−xSe2. Кристаллизуется в структуре типа халькопирита. Ширина запрещённой зоны меняется от 1,7 эВ при x=0 до 1,0 эВ при x=1[1].

Применение[править | править код]

Известен благодаря применению в солнечных батареях второго поколения[2]. Достоинством тонкопленочных панелей на основе CIGS является их гибкость.


См. также[править | править код]

Примечания[править | править код]

  1. (1991) «Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1−ySe2 Alloys». Physica Status Solidi (a) 124 (2): 427. DOI:10.1002/pssa.2211240206.
  2. Будзуляк И. М. Журнал технической физики, 72 6 (2002) 41—43.