Карбид кремния: различия между версиями

Карбид кремния
Карбид кремния
Общие
Хим. формула	SiC
Физические свойства
Состояние	от прозрачного до черного, в зависимости от чистоты
Молярная масса	40.0962 г/моль
Плотность	3.21
Твёрдость	9 и 9,5
Энергия ионизации	9,3 ± 0,1 эВ
Термические свойства
	Температура
• плавления	(с разл.) 2730 °C
• сублимации	4892 ± 1 ℉
Давление пара	0 ± 1 мм рт.ст.
Химические свойства
	Растворимость
• в воде	нерастворим
• в кислотах	нерастворим
Оптические свойства
Показатель преломления	2.55
Классификация
Рег. номер CAS	409-21-2
PubChem	9863
Рег. номер EINECS	206-991-8
SMILES	[C-]#[Si+]
InChI	InChI=1S/CSi/c1-2 HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N
RTECS	VW0450000
ChEBI	29390
ChemSpider	9479
Безопасность
Токсичность	0 1 0
NFPA 704	0 1 0
	Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
	Медиафайлы на Викискладе

Интерактивная навигация по истории

[отпатрулированная версия]

Следующая правка →

Содержимое удалено Содержимое добавлено

ВизуальныйВики-текст

Линейный

Версия от 16:24, 3 мая 2010

Карбид кремния (карборундум) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, искусственные драгоценные камни.

Открытие и начало производства

О ранних, несистематических и часто непризнанных синтезах карбида кремния сообщали такие ученые как Деспретз (1849), Марсден (1880) и Колсон (1882 год)^[4]. Широкомасштабное производство начал Эдвард Гудрич Ачесон в 1893. Он запатентовал метод получения порошкообразного карбида кремния 28 февраля 1893^[5]. Ачесон также разработал электрическую печь в которой карбид кремния создается до сих пор. Он основал компанию The Carborundum Company для производства порошкообразного вещества, которое первоначально использовалось в качестве абразива ^[6].

Исторически первым способом использования карбидокремния было использование в качестве абразива. За этим последовало применение и в электронных устройствах. В начале 20 века карбид кремния использовался в качестве детектора в первых радиоприемниках ^[7]. В 1907 году Генри Джозеф Раунд создал первый светодиод, подавая напряжение на кристаллы SiC и наблюдая за желтым, зеленым и оранжевым излучением на катоде. Эти эксперименты были позже повторены О. В. Лосевым в СССР в 1923 году ^[8].

Формы нахождения в природе

Монокристалл муассанита (~1 мм в размере)

Природный карбид кремния — муассанит можно найти только в ничтожно малых количествах в некоторых типах метеоритов и в месторождениях корунда и кимберлита. Практически любой карбид кремния, продаваемый в мире, в том числе и в виде муассанитового украшения, является синтетическим. Природный муассанит был впервые обнаружен в 1893 году в качестве небольшого включения в метеорите Каньон Диабло в Аризоне Фердинандом Анри Муассаном, в честь которого и был назван минерал в 1905 году^[9]. Исследование Муассана о естественном происхождении карбида кремния было изначально спорным, потому что его образец мог быть загрязнён крошкой карбида кремния от пилы (в то время пилы уже содержали данное вещество)^[10].

Хоть карбид кремния и является редким веществом на Земле, однако, он широко распространен в космосе. Это вещество распространено в пылевых облаках вокруг богатых углеродом звезд, также его много в первозданных, не подверженных изменениям, метеоритах. Карбид кремния нашли в космосе и в метеоритах, почти исключительно, в форме бета-полиморфа. Анализ зёрен карбида кремния, найденных в Мерчисонском углеродистом хондритовом метеорите, выявил аномальное изотопное соотношение углерода и кремния, что указывает на происхождение данного вещества за пределами Солнечной системы: 99 % зёрен SiC образовались около богатых углеродом звёзд принадлежащих к асимптотической ветви гигантов ^[11]. Карбид кремния можно часто обнаружить вокруг таких звезд по их ИК-спектрам ^[12].

Производство

Из-за редкости нахождения в природе муассанита, карбид кремния, как правило, имеет искусственное происхождение. Простейшим способом производства является спекание кремнезема с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1600-2500 °C.

~\mathrm {SiO_{2}+3C\xrightarrow {1600-2500^{o}C} SiC+2CO}

Чистота карбида кремния, образующегося в печи Ачесона, зависит от расстояния до графитового резистора в ТЭНе. Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-желтого и зеленого цвета находятся ближе всего к резистору. На большем расстоянии от резистора цвет изменяется на синий или черный из-за примесей. Загрязнителями чаще всего являются азот и алюминий, они влияют на электропроводность полученного материала ^[13].

Чистый карбид кремния можно получить с помощью так называемого процесса Лели, в котором порошкообразный SiC возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более холодной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов размером до 2х2 см². Этот процесс дает высококачественные монокристаллы, в основном состоящие из 6H-SiC фаз (это связано высокой температурой роста). Кубический SiC, как правило, выращивается с помощью более дорогостоящего процесса — химического осаждения паров ^[13]^[14]. Чистый карбид кремния также может быть получен путем термического разложения полимера полиметилселана (SiCH₃)_n, в атмосфере инертного газа при низких температурах. Относительно CVD-процесса метод пиролиза более удобен, поскольку из полимера можно сформировать изделие любой формы перед запекания в керамику ^[15]^[16]^[17]^[18].

Структура и свойства

Структуры основных политипов SiC
(β)3C-SiC
4H-SiC
(α)6H-SiC

Существует примерно 250 кристаллических форм карбида кремния^[19]. Полиморфизм SiC характеризуется большим количеством схожих кристаллических структур, называемых политипами. Они являются вариациями одного и того же химического соединения, которые идентичны в двух измерениях, но отличаются в третьем. Таким образом, их можно рассматривать как слои, сложенные в стопку в определенной последовательности ^[20].

Альфа карбид кремния (α-SiC) является наиболее часто встречающимся полиморфом. Эта модификация образуется при температуре свыше 1700 °C и имеет гексагональную решётку, кристаллическая структура типа вюрцита.

Бета-модификация (β-SiC), с кристаллической структурой типа цинковой обманки (аналог структуры алмаза), образуется при температурах ниже 1700 °C ^[21]. До недавнего времени бета-форма имела сравнительно небольшое коммерческое использование, однако, в настоящее время в связи с использованием его в качестве гетерогенных катализаторов интерес к ней увеличивается.

Свойства основных политипов карбида кремния^[3]^[16]
Политип	3C (β)	4H	6H (α)
Кристаллическая структура	Цинковая обмана (кубич.)	Гексагональная	Гексагональная
Пространственная группа	$~\mathrm {T_{d}^{2}-F43m}$	$~\mathrm {C_{6v}^{4}-P6_{3}mc}$	$~\mathrm {C_{6v}^{4}-P6_{3}mc}$
Символ Пирсона	$~\mathrm {cF8}$	$~\mathrm {hP8}$	$~\mathrm {hP12}$
Постоянные решётки (Å)	$~4.3596$	$~3.0730;10.053$	$~3.0730;15.11$
Плотность (г/см³)	3.21	3.21	3.21
Ширина запрещенной зоны (еВ)	2.36	3.23	3.05
МОС (ГПа)	250	220	220
Теплопроводность (Вт/(см·К))	3.6	3.7	4.9

Чистый карбид кремния бесцветен. Его оттенки от коричневого до черного цвета связаны с примесями железа. Радужный блеск кристаллов обуславливается тем, что при контакте с воздухом на их поверхности образуется плёнка из диоксида кремния, что происходит к пассивированию внешнего слоя.

Высокая температура сублимации карбидокремния (около 2700 °C) делает его пригодным для создания подшипников и частей оборудования для высокотемпературных печей. Карбид кремния не плавится при любом известном давлении. Кроме того, является весьма инертным химическим веществом.

В настоящее время существует большой интерес в использовании данного вещества в качестве полупроводникового материала в электронике, где его высокая теплопроводность, высокое электрическое поле пробоя и высокая плотность электрического тока делают его перспективным материалом для высокомощных устройств ^[22]. Карбид кремния имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0·10^-6K) и он не испытывает фазовые переходы из-за которых может произойти разрушение монокристаллов^[13].

Электропроводность

Карбид кремния является полупроводником, тип проводимости которого зависит от примесей. Проводимость n-типа получается при легировании азотом или фосфором, а p-тип — с помощью алюминия, бора, галлия или бериллия ^[3]. Металлическая проводимость была достигнута за счет сильного легирования бором, алюминия и азота. Сверхпроводимость была обнаружена в политипах 3C-SiC:Al, 3C-SiC:B и 6H-SiC:B при одинаковой температуре — 1,5 К ^[23].

Химические свойства

Карбид кремния очень устойчивое вещество и в инертной атмосфере разлагается только при очень высокой температуре:

~\mathrm {SiC\xrightarrow {2830^{o}C} Si+C}

Сильно перегретый пар разлагает карбид кремния:

~\mathrm {SiC+2H_{2}O\xrightarrow {1300^{o}C} SiO_{2}+CH_{4}}

Концентрированные окисляющие кислоты и их смеси растворяют карбид кремния:

~\mathrm {3SiC+8HNO_{3}\xrightarrow {~~~} 3SiO_{2}+3CO_{2}+8NO+4H_{2}O}

~\mathrm {3SiC+18HF+8HNO_{3}\xrightarrow {~~~} 3H_{2}[SiF_{6}]+3CO_{2}+8NO+10H_{2}O}

В присутствии кислорода щёлочи растворяют карбид кремния:

~\mathrm {3SiC+4NaOH+O_{2}\xrightarrow {~~~} Na_{4}SiO_{4}+3C+2H_{2}O}

~\mathrm {3SiC+4NaOH+2O_{2}\xrightarrow {350^{o}C} Na_{2}SiO_{3}+Na_{2}CO_{3}+2H_{2}O}

При нагревании реагирует с кислородом:

~\mathrm {2SiC+3O_{2}\xrightarrow {950-1700^{o}C} 2SiO_{2}+2CO}

с галогенами:

~\mathrm {SiC+2Cl_{2}\xrightarrow {600-1200^{o}C} SiCl_{4}+C}

с азотом:

~\mathrm {6SiC+7N_{2}\xrightarrow {1000-1400^{o}C} 2Si_{3}N_{4}+3C_{2}N_{2}}

с активными металлами:

~\mathrm {2SiC+5Mg\xrightarrow {700^{o}C} 2Mg_{2}Si+MgC_{2}}

и их пероксидами:

~\mathrm {SiC+4Na_{2}O_{2}\xrightarrow {700-800^{o}C} Na_{2}SiO_{3}+Na_{2}CO_{3}+2Na_{2}O}

Использование

Абразивные и режущие инструменты

В современной гранильной мастерской карбид кремния является популярным абразивом из-за его прочности и низкой стоимости. В обрабатывающей промышленности из-за высокой твердости он используется в абразивной обработке таких процессов как шлифование, хонингование, водоструйная резка и пескоструйной обработки. Частицы карбида кремния ламинируются на бумагу для создания шлифовальной шкурки^[24].

В 1982 году случайно был обнаружен композит, состоящий из оксида алюминия и карбида кремния, кристаллы которого растут в виде очень тонких нитей ^[25].

Структурные материалы

Карбид кремния используется во внутренней пластине баллистических бронежилетов

В 1980-х и 1990-х годах карбид кремния изучался в ряде научно-исследовательских программ в США, Японии и Европе для использования в высокотемпературных газовых турбинах. Компоненты были призваны заменить некоторые детали никелевых жаропрочных турбин. Тем не менее, ни один из этих проектов не привел к промышленному производству, в основном из-за низкого сопротивления ударам и низкой ударной вязкости карбида кремния ^[26].

Как и другие жесткие керамики (оксид алюминия и карбид бора), карбид кремния используется в композитной броне и в качестве керамической пластины в пуленепробиваемых жилетах. Тип бронежилета «Кожа дракона», созданный компанией Pinnacle Armor, использует диски из карбида кремния ^[27].

Автомобильные запчасти

Инфильтрованый кремний в материале «композит углерод-углерод» используется для производства высококачественных «керамических» дисковых тормозов, так как способен выдерживать экстремальные температуры. Кремний вступает в реакцию с графитом в «композите углерод-углерод» становясь армированным углеродным волокном карбида кремния (C/SiC). Диски из этого материала используются на некоторых спортивных автомобилях, в том числе Porsche Carrera GT, Bugatti Veyron, Chevrolet Corvette ZR1, бентли, Феррари, Ламборджини^[28]. Карбид кремния используется также в спеченных формах в дизельных фильтрах для очистки от твердых частиц^[29].

Электроника

Первые электрические системы из SiC были молниеотводы в электроэнергетических системах. Эти устройства должны были обладать высоким сопротивлением до тех пор пока напряжение между ними не достигнет определенного порогового значения V_T, после чего их сопротивление должно упасть до более низкого уровня и поддерживать этот уровень, пока приложенное напряжение падает ниже V_T^[30].

Электронные схемы элементов

Карбид кремния используется в сверхбыстрых, высоковольтных диодах Шоттки, N-МОП-транзисторах и в высокотемпературных тиристорах^[22]. Проблемы с интерфейсом элементов основанных на диоксиде кремния препятствуют развитию N-МОП-транзисторов и IGBT, основанных на карбидокремнии. Другая проблема заключается в том, что сам SiC пробивается при высоких электрических полях в связи с образованием цепочек дефектов упаковки, но эта проблема может быть решена совсем скоро ^[31].

История светодиодов из SiC весьма примечательна: первые светодиоды с использованием SiC были продемонстрированы в 1907 году. Первые коммерческие светодиоды были также на основе карбида кремния. Желтые светодиоды из 3C-SiC были изготовлены в Советском Союзе в 1970-х годах^[32], а синие (из 6H-SiC) по всему миру в 1980-х ^[33]. Производство вскоре остановилась, потому что нитрид галлия показал в 10-100 раз более яркую эмиссию. Эта разница в эффективности связана с неблагоприятной непрямой запрещенной зоной SiC, в то время как нитрид галлия имеет прямую запрещенную зону, что способствующую увеличению интенсивности свечения. Тем не менее, SiC по прежнему является одним из важных компонентов светодиодов — это популярная подложка для выращивания устройств из нитрида галлия, также он служит теплораспределителем в мощных светодиодах^[33].

Астрономия

Низкий коэффициент теплового расширения, высокая прочность, жесткость и теплопроводность делает карбид кремния нужным материалом для зеркал в астрономических телескопах. Развитие технологий (химическое осаждение паров) позволило создавать диски поликристаллического карбида кремния до 3,5 метров в диаметре. Несколько телескопов уже оснащены оптикой из карбида кремния^[34]^[35].

Пирометрия

Изображения теста пирометрии. Высота пламени 7 см

Волокна из карбида кремния используются для измерения температуры газов оптическим методом, называемым тонкой пирометрией накаливания. Измерение таким способом включает в себя размещение тонких нитей в горячем потоке газа. Нити состоят из волокон карбида кремния в диаметре 15 мкм, что примерно в 5 раз тоньше человеческого волоса. Волокна являются настолько тонкими, что они почти не мешают горению пламени; их температура остается близкой к температуре пламени. Температура от 800 до 2500 K может быть измерена таким методом^[36]^[37].

Элементы нагревания

Ссылки на то, что карбид кремния использовался в нагревательных элементах существуют с начала 20-го века, когда они были изготовлены Карборундовой Компанией Ачесон в США и EKL в Берлине. Карбид кремния помог увеличить рабочую температуру по сравнению с металлическими нагревателями. Элементы из карбида кремния используются сегодня при плавления цветных металлов и стекла, при термической обработке металлов, флоат-стекла, при производстве керамики, электронных компонентов и т. д.^[38]

Элементы ядерного топлива

Карбид кремния часто используется в качестве слоя из триструктурально-изотропного покрытия для элементов ядерного топлива в высокотемпературных газовых реакторах или в очень высокотемпературных реакторах. Карбид кремния обеспечивает механическую устойчивость к топливу и является основным барьером для диффузии продуктов деления^[39].

Ювелирные изделия

Файл:MoissaniteRoundJewel.jpg

Синтетический муассанит

Как драгоценный камень карбид кремния используется в ювелирном деле: называется «синтетический муассанит» или просто «муассанит». Муассанит похож на алмаз: он прозрачен и тверд (9-9,5 по шкале Мооса, по сравнению с 10 для алмаза), с показателем преломления 2,65-2,69 (по сравнению с 2,42 для алмаза). Муассанит имеет несколько более сложную структуру, чем обычный кубический цирконий. В отличие от алмаза, муассанит может иметь сильное двулучепреломление. Это качество является желательным в некоторых оптических конструкциях, но только не в драгоценных камнях. По этой причине муассанитовые драгоценности разрезают вдоль оптической оси кристалла, чтобы свести к минимуму эффект двупреломления. Муассанит имеет более низкую плотность 3,21 г/см³ (против 3,53 г/см³ для алмаза) и гораздо более устойчив к теплу. В результате получается камень с большим блеском минерала, с четкими гранями и хорошей устойчивостью к внешним воздействиям. В отличие от алмаза, который горит при температуре 800 °C, муассанит остается неповрежденным вплоть до температуры в 1800 °C (для сравнения: 1064 °C — температура плавления чистого золота). Муассанит стал популярен как заменитель алмаза, и может быть ошибочно принят за алмаз, так как его теплопроводность гораздо ближе к алмазу, чем у любого другого заменителя бриллианта. Драгоценный камень можно отличить от алмаза с помощью его двулучепреломления и очень небольшой зеленой или желтой флуоресценции в ультрафиолетовом свете ^[40].

Производство стали

Карбид кремния выступает в качестве топлива для изготовления стали в конвертерном производстве. Он чище чем уголь, что позволяет сократить отходы производства. Также может быть использован для повышения температуры и регулирования содержания углерода. Использование карбида кремния стоит меньше и позволяет производить чистую сталь из-за низкого уровня содержантя микроэлементов, по сравнению с ферросилицием и сочетанием с углеродом^[41].

Катализатор

Естественная резистентность карбида кремния к окислению, а также открытие новых путей синтеза кубической формы β-SiC с большей площадью поверхности, приводит к большому интересу в использовании его в качестве гетерогенного катализатора. Эта форма уже использовалась в качестве катализатора при окислении углеводородов, таких как н-бутан, малеиновый ангидрид^[42]^[43].

Производство графена

Карбид кремния используется для производства графена с помощью графитизации при высоких температурах. Это производство рассматривается как один из перспективных методов синтеза графена в больших масштабах для практических применений^[44]^[45].

Примечания

↑ Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals. — McGraw-Hill, 2002. — ISBN 0070494398.
↑ ¹ ² ³ http://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0555.html
↑ ¹ ² ³ Properties of Silicon Carbide (SiC) (неопр.). Ioffe Institute. Ошибка в сносках^?: Неверный тег <ref>: название «ioffe» определено несколько раз для различного содержимого
↑ Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing. — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606.
↑ Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material»
↑ "The Manufacture of Carborundum — a New Industry". 4/7/1894. {{cite news}}: Проверьте значение даты: |date= (справка)
↑ Dunwoody, Henry H.C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector)
↑ Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha.: A History of Electroluminescent Displays (неопр.).
↑ Moissan, Henri (1904). "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo". Comptes rendus. 139: 773—86.
↑ Di Pierro S., Gnos E., Grobety B.H., Armbruster T., Bernasconi S.M., and Ulmer P. (2003). "Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide)". American Mineralogist. 88: 1817—21.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)
↑ Alexander, C. M. O'D. (1990). "In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites". Nature. 348: 715—17. doi:10.1038/348715a0.
↑ "The Astrophysical Nature of Silicon Carbide". {{cite journal}}: Cite journal требует |journal= (справка)
↑ ¹ ² ³ Harris, Gary Lynn. Свойства карбида кремния = Properties of silicon carbide. — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170–180. — ISBN 0852968701.
↑ Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology. — Springer, 2003. — С. 180-200. — ISBN 3540003673.
↑ Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) // журнал Advanced Materials. — 2004. — С. 706. — doi:10.1002/adma.200306467.
↑ ¹ ² Park, Yoon-Soo. SiC materials and devices. — Academic Press, 1998. — С. 20–60. — ISBN 0127521607. Ошибка в сносках^?: Неверный тег <ref>: название «prop» определено несколько раз для различного содержимого
↑ Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres // Journal of Materials Science. — 2006. — С. 823. — doi:10.1007/s10853-006-6566-z.
↑ Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide. — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — С. 260. — doi:10.1021/cm00027a007.
↑ Cheung, Rebecca. Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. — Imperial College Press, 2006. — С. 3. — ISBN 1860946240.
↑ Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — doi:10.1063/1.358463.
↑ Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide : free download. — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044204.
↑ ¹ ² Bhatnagar, M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices. — IEEE Transactions on Electron Devices, Март 1993. — Вып. 3. — С. 645–655. — doi:10.1109/16.199372. Ошибка в сносках^?: Неверный тег <ref>: название «baliga» определено несколько раз для различного содержимого
↑ Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — Вып. 9. — С. 044205. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044205.
↑ Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759
↑ Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites. — Springer, 2005. — С. 312. — ISBN 1402081332.
↑ "Ceramics for turbine engines".
↑ Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight (неопр.). Future Firepower.
↑ Top 10 Fast Cars (неопр.).
↑ O'Sullivan, D.; Pomeroy, M.J.; Hampshire, S.; Murtagh, M.J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits // MRS proceedings. — 2004. — Вып. 19. — С. 2913–2921. — doi:10.1557/JMR.2004.0373.
↑ Whitaker, Jerry C. The electronics handbook. — CRC Press, 2005. — С. 1108. — ISBN 0849318890.
↑ Madar, Roland. Materials science: Silicon carbide in contention : Журнал Nature. — 2004-08-26. — Вып. 430. — С. 974–975. — doi:10.1038/430974a.
↑ Yellow SiC LED (неопр.).
↑ ¹ ² Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes. — Academic Press, 1997. — С. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569.
↑ "The largest telescope mirror ever put into space". European Space Agency.
↑ Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope. — Журнал Proc. SPIE. — С. 263.
↑ "Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames" (англ.). NASA.
↑ Maun, Jignesh D.; Sunderland, PB; Urban, DL. Thin-filament pyrometry with a digital still camera : Applied Optics. — 2007. — Вып. 4. — С. 483. — doi:10.1364/AO.46.000483. — PMID 17230239.
↑ Yeshvant V. Deshmukh. Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383–393. — ISBN 0849334055.
↑ López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties : Journal of Nuclear Materials. — 2009. — С. 219. — doi:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013.
↑ O'Donoghue, M. Gems. — Elsevier. — 2006. — С. 89. — ISBN 0-75-065856-8.
↑ Silicon carbide (steel industry) (англ.).
↑ Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts: heterogeneous catalysts. — CRC Press, 2000. — С. 258. — ISBN 0849394171.
↑ Singh, S. K.; Parida, K. M.; Mohanty, B. C.; Rao, S. B. High surface area silicon carbide from rice husk: A support material for catalysts : Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — С. 29. — doi:10.1007/BF02071177.
↑ de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics. — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381.
↑ de Heer, Walt A. Epitaxial graphene : Solid State Communications. — 2007. — С. 92. — doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023.

[1] Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals. — McGraw-Hill, 2002. — ISBN 0070494398.

[_e4d75449c5096791-2] ¹ ² ³ http://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0555.html

[ioffe-3] ¹ ² ³ Properties of Silicon Carbide (SiC) (неопр.). Ioffe Institute. Ошибка в сносках^?: Неверный тег <ref>: название «ioffe» определено несколько раз для различного содержимого

[4] Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing. — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606.

[5] Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material»

[6] "The Manufacture of Carborundum — a New Industry". 4/7/1894. {{cite news}}: Проверьте значение даты: |date= (справка)

[7] Dunwoody, Henry H.C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector)

[ultraviolet-8] Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha.: A History of Electroluminescent Displays (неопр.).

[9] Moissan, Henri (1904). "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo". Comptes rendus. 139: 773—86.

[pierro-10] Di Pierro S., Gnos E., Grobety B.H., Armbruster T., Bernasconi S.M., and Ulmer P. (2003). "Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide)". American Mineralogist. 88: 1817—21.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка)

[11] Alexander, C. M. O'D. (1990). "In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites". Nature. 348: 715—17. doi:10.1038/348715a0.

[12] "The Astrophysical Nature of Silicon Carbide". {{cite journal}}: Cite journal требует |journal= (справка)

[growth-13] ¹ ² ³ Harris, Gary Lynn. Свойства карбида кремния = Properties of silicon carbide. — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170–180. — ISBN 0852968701.

[14] Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology. — Springer, 2003. — С. 180-200. — ISBN 3540003673.

[15] Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) // журнал Advanced Materials. — 2004. — С. 706. — doi:10.1002/adma.200306467.

[prop-16] ¹ ² Park, Yoon-Soo. SiC materials and devices. — Academic Press, 1998. — С. 20–60. — ISBN 0127521607. Ошибка в сносках^?: Неверный тег <ref>: название «prop» определено несколько раз для различного содержимого

[17] Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres // Journal of Materials Science. — 2006. — С. 823. — doi:10.1007/s10853-006-6566-z.

[18] Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide. — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — С. 260. — doi:10.1021/cm00027a007.

[19] Cheung, Rebecca. Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. — Imperial College Press, 2006. — С. 3. — ISBN 1860946240.

[jap-20] Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — doi:10.1063/1.358463.

[muranaka-21] Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide : free download. — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044204.

[baliga-22] ¹ ² Bhatnagar, M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices. — IEEE Transactions on Electron Devices, Март 1993. — Вып. 3. — С. 645–655. — doi:10.1109/16.199372. Ошибка в сносках^?: Неверный тег <ref>: название «baliga» определено несколько раз для различного содержимого

[kriener-23] Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — Вып. 9. — С. 044205. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044205.

[24] Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759

[25] Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites. — Springer, 2005. — С. 312. — ISBN 1402081332.

[26] "Ceramics for turbine engines".

[27] Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight (неопр.). Future Firepower.

[28] Top 10 Fast Cars (неопр.).

[29] O'Sullivan, D.; Pomeroy, M.J.; Hampshire, S.; Murtagh, M.J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits // MRS proceedings. — 2004. — Вып. 19. — С. 2913–2921. — doi:10.1557/JMR.2004.0373.

[30] Whitaker, Jerry C. The electronics handbook. — CRC Press, 2005. — С. 1108. — ISBN 0849318890.

[31] Madar, Roland. Materials science: Silicon carbide in contention : Журнал Nature. — 2004-08-26. — Вып. 430. — С. 974–975. — doi:10.1038/430974a.

[32] Yellow SiC LED (неопр.).

[LED-33] ¹ ² Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes. — Academic Press, 1997. — С. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569.

[34] "The largest telescope mirror ever put into space". European Space Agency.

[35] Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope. — Журнал Proc. SPIE. — С. 263.

[36] "Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames" (англ.). NASA.

[37] Maun, Jignesh D.; Sunderland, PB; Urban, DL. Thin-filament pyrometry with a digital still camera : Applied Optics. — 2007. — Вып. 4. — С. 483. — doi:10.1364/AO.46.000483. — PMID 17230239.

[38] Yeshvant V. Deshmukh. Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383–393. — ISBN 0849334055.

[39] López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties : Journal of Nuclear Materials. — 2009. — С. 219. — doi:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013.

[don-40] O'Donoghue, M. Gems. — Elsevier. — 2006. — С. 89. — ISBN 0-75-065856-8.

[41] Silicon carbide (steel industry) (англ.).

[42] Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts: heterogeneous catalysts. — CRC Press, 2000. — С. 258. — ISBN 0849394171.

[43] Singh, S. K.; Parida, K. M.; Mohanty, B. C.; Rao, S. B. High surface area silicon carbide from rice husk: A support material for catalysts : Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — С. 29. — doi:10.1007/BF02071177.

[44] de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics. — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381.

[45] de Heer, Walt A. Epitaxial graphene : Solid State Communications. — 2007. — С. 92. — doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

[13]

[14]

[15]

[16]

[17]

[18]

[19]

[20]

[21]

[22]

[23]

[24]

[25]

[26]

[27]

[28]

[29]

[30]

[31]

[32]

[33]

[34]

[35]

[36]

[37]

[38]

[39]

[40]

[41]

[42]

[43]

[44]

[45]

Карбид кремния: различия между версиями

Версия от 16:24, 3 мая 2010

Содержание

Открытие и начало производства

Формы нахождения в природе

Производство