Эсаки, Лео

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Лео Эсаки
江崎 玲於奈
Leo Esaki 1959.jpg
Дата рождения:

12 марта 1925(1925-03-12)[1][2][3] (92 года)

Место рождения:

Осака, Япония

Страна:
Научная сфера:

физика

Место работы:

Киотский университет, Технологический институт Сибаура[en], Цукубский университет[en] и Иокогамский фармацевтический колледж[en]

Альма-матер:
Награды и премии:

Премия Японии Премия Японии (1998)
Нобелевская премия по физике — 1973 Нобелевская премия по физике (1973)
Орден Восходящего солнца 1 класса Орден Культуры

Commons-logo.svg Лео Эсаки на Викискладе

Лео Эсаки (яп. 江崎 玲於奈 Эсаки Рэона?, известен также как Рэона Эсаки или Леона Эсаки; род. 12 марта 1925, Осака, Япония) — японский физик, лауреат Нобелевской премии по физике в 1973 году. Половина премии, совместно с Айваром Джайевером, «за экспериментальные открытия туннельных явлений в полупроводниках и сверхпроводниках». Вторая половина присуждена Б. Д. Джозефсону «за теоретическое предсказание свойств тока, проходящего через туннельный барьер, в частности явлений, общеизвестных ныне под названием эффектов Джозефсона». Лео Эсаки также известен как изобретатель диода Эсаки, использующего эффект туннелирования электрона.

Лео Эсаки изучал физику в Токийском университете, получил степень бакалавра в 1947 году, степень доктора философии в 1959 году. Нобелевскую премию получил за исследования, проведённые в 1958 году во время работы в компании Sony. Впоследствии в 1960 году переехал в США и стал работать в исследовательском центре фирмы IBM, где был удостоен звания лауреата IBM[en] в 1967 году.

Награды и признание[править | править код]

В его честь названа Премия Лео Эсаки[ja].

Примечания[править | править код]

Ссылки[править | править код]