Красников, Геннадий Яковлевич

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к: навигация, поиск
Геннадий Яковлевич Красников
Krasnikov GYa.jpg
Геннадий Яковлевич Красников на 45-летии МИЭТ
Дата рождения:

30 апреля 1958(1958-04-30) (59 лет)

Место рождения:

Тамбов

Страна:

СССР, Россия

Учёная степень:

доктор технических наук

Учёное звание:

академик РАН

Альма-матер:

МИЭТ

Награды и премии:
Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени Орден Почёта Орден Дружбы Ribbon Medal 850 Mosow.png
Государственная премия Российской Федерации — 2014 Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники — 1999 Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники — 2009
Commons-logo.svg Геннадий Яковлевич Красников на Викискладе

Генна́дий Я́ковлевич Кра́сников (род. 30 апреля 1958, Тамбов) — советский и российский учёный в области физики полупроводниковых приборов, академик РАН, доктор технических наук, профессор, генеральный директор АО «НИИМЭ», председатель Совета директоров ПАО «Микрон».

Биография[править | править вики-текст]

Выпускник физико-технического факультета Московского института электронной техники 1981 года.

C 1981 года (последовательно) — инженер, ведущий инженер, начальник модуля, начальник цеха, заместитель генерального директора, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» (с 1991 по 2016 год), генеральный директор АО «НИИМЭ» (ранее исследовательский центр ОАО «НИИМЭ и Микрон», выделенный с 2011 года в отдельное дочернее предприятие).

В 19992003 годах — генеральный директор концерна «Научный центр» (с 2005 года ОАО «Ситроникс»).

Член-корреспондент РАН (1997), академик РАН (2008) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.

Зарегистрирован кандидатом на пост президента РАН на выборах, намеченных на сентябрь 2017 года[1]. Другими претендентами на этот пост являются Е. Н. Каблов, Р. И. Нигматулин, В. Я. Панченко, А. М. Сергеев, А. Р. Хохлов и В. А. Черешнев; выдвижение кандидатов завершено[2].

Научная деятельность[править | править вики-текст]

Г. Я. Красников — учёный в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблем обеспечения качества их промышленного производства. Автор и соавтор 312 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырёх научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов.

Основными направлениями научных исследований являются микро- и наноэлектроника. Им созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, а также выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела систем кремний — диоксид кремния — металл на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем.

Организационная работа[править | править вики-текст]

Красников — руководитель межведомственного Совета главных конструкторов по электронной компонентной базе РФ, состоял членом Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию, член Консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково»[3], председатель научного Совета РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения», сопредседатель экспертного Совета по инновационной деятельности и внедрению наукоемких технологий Государственной Думы Российской Федерации, член двух экспертных советов по присуждению премии Правительства РФ в области науки и техники, входит в состав Совета руководителей EMEA Leadership Council — Глобального альянса производителей полупроводников (GSA), руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям[4].

Главный редактор журнала «Электронная техника. Серия „Микроэлектроника“», член редколлегии журналов «Микроэлектроника», «Электроника. Наука. Технология. Бизнес», «Нано- и микросистемная техника».

Педагогическая работа[править | править вики-текст]

Красников возглавляет базовую кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ» и базовую кафедру микро- и наноэлектроники в Московском физико-техническом институте, руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники.

Почётный доктор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета РАН.

Награды[править | править вики-текст]

Геннадий Яковлевич Красников и Владимир Владимирович Путин на вручении Государственных премий Российской Федерации за 2014 год, 12 июня 2015 года

Примечания[править | править вики-текст]

  1. Проректор МГУ Хохлов и бывший депутат Черешнев могут стать кандидатами в президенты РАН. ТАСС (06.06.2017). — «В настоящее время зарегистрированными кандидатами на пост президента РАН являются Панченко,.. Сергеев и директор ОАО "НИИМЭ" Геннадий Красников». Проверено 8 июня 2017.
  2. Ю. Медведев. Как будут выбирать президента РАН (интервью с и.о. президента РАН В. В. Козловым). Российская газета (25 июля 2017). Проверено 25 июля 2017.
  3. Сколково. Люди в проекте
  4. Академик Красников рассказал о судьбе российской микроэлектроники. Российская газета. Проверено 24 апреля 2017.
  5. Центр новостей ООН. Центр новостей ООН - Четверо ученых из России получили медаль ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий». UN News Service Section. Проверено 8 февраля 2016.

Ссылки[править | править вики-текст]